Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SI6968BEDQ-T1-E3

Teilbestand: 118914

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

SI7904BDN-T1-E3

Teilbestand: 165763

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI4948BEY-T1-GE3

Teilbestand: 125231

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI4946BEY-T1-E3

Teilbestand: 150097

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI4808DY-T1-GE3

Teilbestand: 80857

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA (Min),

SI3951DV-T1-GE3

Teilbestand: 199685

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDS6930B

Teilbestand: 174209

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDS6990A

Teilbestand: 143253

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT1G

Teilbestand: 84490

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-W

Teilbestand: 197593

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

FDMS8090

Teilbestand: 54867

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

FDPC8014AS

Teilbestand: 56655

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

FDMA1028NZ-F021

Teilbestand: 89

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTLUD4C26NTBG

Teilbestand: 107408

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

NTUD3174NZT5G

Teilbestand: 123413

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

FDMD8240LET40

Teilbestand: 53084

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTLJD3119CTBG

Teilbestand: 189185

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTUD3169CZT5G

Teilbestand: 116437

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-7

Teilbestand: 101082

DMG6968UTS-13

Teilbestand: 187139

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

DMC3016LNS-7

Teilbestand: 184096

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

DMC3016LSD-13

Teilbestand: 127604

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A, 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

HTMN5130SSD-13

Teilbestand: 82476

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMG9933USD-13

Teilbestand: 177140

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

DMC3026LSD-13

Teilbestand: 205

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSD-13

Teilbestand: 115772

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ZXMC10A816N8TC

Teilbestand: 169825

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

DMN1250UFEL-7

Teilbestand: 191350

FET-Typ: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

ZXMN6A25DN8TA

Teilbestand: 101872

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

SP8M5FRATB

Teilbestand: 154

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

SP8M6FRATB

Teilbestand: 153

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

SP8M21FRATB

Teilbestand: 70

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

EPC2105ENGRT

Teilbestand: 13745

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2.5mA,

STL7DN6LF3

Teilbestand: 117469

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

UPA2660T1R-E2-AX

Teilbestand: 164961

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA2690T1R-E2-AX

Teilbestand: 161730

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 2A, 4.5V,