Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDS6986AS

Teilbestand: 190163

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, 7.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NVMFD5C446NT1G

Teilbestand: 62

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-W

Teilbestand: 195236

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

FDPC8014S

Teilbestand: 59646

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, 41A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

EFC8822R-X-TF

Teilbestand: 2926

MCH6606-TL-EX

Teilbestand: 3025

NTMFD4901NFT3G

Teilbestand: 74945

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.3A, 17.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

NTMFD5C674NLT1G

Teilbestand: 6527

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 25µA,

FW274-TL-E

Teilbestand: 3030

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

FDC6321C

Teilbestand: 160222

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 680mA, 460mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDG6321C-F169

Teilbestand: 2959

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

DMN2004DWKQ-7

Teilbestand: 114141

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMC4029SSD-13

Teilbestand: 193

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMC3016LNS-13

Teilbestand: 179652

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

ZXMP6A17DN8TA

Teilbestand: 113419

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

ZXMN3A04DN8TA

Teilbestand: 67976

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

DMN61D8LVTQ-13

Teilbestand: 164672

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

DMP2004DMK-7

Teilbestand: 161101

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 550mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMN3032LFDBQ-7

Teilbestand: 158335

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

DMC2700UDMQ-7

Teilbestand: 273

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, 700 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMN2040LTS-13

Teilbestand: 129560

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

DMN1029UFDB-13

Teilbestand: 165180

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMP2060UFDB-7

Teilbestand: 104528

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

SI4505DY-T1-GE3

Teilbestand: 118954

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.8V @ 250µA,

SI7913DN-T1-E3

Teilbestand: 93083

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI4554DY-T1-GE3

Teilbestand: 106365

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

SQ4282EY-T1_GE3

Teilbestand: 10808

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

UPA672T-T1-A

Teilbestand: 3018

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

CSD87333Q3DT

Teilbestand: 70653

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

CSD87381P

Teilbestand: 131899

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

FMK75-01F

Teilbestand: 3528

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 4mA,

GWM180-004X2-SMD

Teilbestand: 3104

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

TPCL4202(TE85L,F)

Teilbestand: 2949

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

SLA5064

Teilbestand: 9977

FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V,

FCAB21520L1

Teilbestand: 103474

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 1.64mA,

CJ3139KDW-G

Teilbestand: 112158

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,