Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SP8K32FRATB

Teilbestand: 80

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

HP8S36TB

Teilbestand: 130641

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A, 80A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

US6K1TR

Teilbestand: 126806

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

US6M2GTR

Teilbestand: 127

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

Wunschzettel.

HS8K11TB

Teilbestand: 188805

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

TT8K2TR

Teilbestand: 164928

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

TT8M2TR

Teilbestand: 126279

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

FC8J33040L

Teilbestand: 178049

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 33V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 260µA,

Wunschzettel.

ZXMN2088DE6TA

Teilbestand: 158779

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMC3025LDV-7

Teilbestand: 189831

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMHC6070LSD-13

Teilbestand: 158503

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, 2.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMC3021LSDQ-13

Teilbestand: 112926

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMC3028LSDX-13

Teilbestand: 179812

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 5.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

ZXMN6A09DN8TA

Teilbestand: 63423

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

ECH8695R-TL-W

Teilbestand: 130870

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

Wunschzettel.

FDMS3606S

Teilbestand: 103403

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 27A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

Wunschzettel.

FW297-TL-2W

Teilbestand: 151817

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

Wunschzettel.

FDMS3602AS

Teilbestand: 95320

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

FDMC7208S

Teilbestand: 116029

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

FDMS7600AS

Teilbestand: 69548

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

FDMD8680

Teilbestand: 74712

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

Wunschzettel.

NVMD6P02R2G

Teilbestand: 115513

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

FDMQ86530L

Teilbestand: 57140

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI4532DY

Teilbestand: 183986

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

NTLUD4C26NTAG

Teilbestand: 108

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI4943BDY-T1-GE3

Teilbestand: 73684

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI6954ADQ-T1-E3

Teilbestand: 197681

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

Wunschzettel.

SI8900EDB-T2-E1

Teilbestand: 45537

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1.1mA,

Wunschzettel.