Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDD3510H

Teilbestand: 147680

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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FDS6900AS

Teilbestand: 159056

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDS6898A

Teilbestand: 128074

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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FDMB3900AN

Teilbestand: 118545

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDS6875

Teilbestand: 133470

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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MCH6663-TL-W

Teilbestand: 154760

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

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FDS6912A

Teilbestand: 171009

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDMD86100

Teilbestand: 131

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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NTLLD4951NFTWG

Teilbestand: 61646

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 6.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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US6K2TR

Teilbestand: 124293

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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EM6K33T2R

Teilbestand: 182538

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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SP8M4FRATB

Teilbestand: 91

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SP8K31FRATB

Teilbestand: 99

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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DMN6070SSD-13

Teilbestand: 104685

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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DMTH6016LSD-13

Teilbestand: 190248

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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DMN2028UFDH-7

Teilbestand: 132521

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMG4822SSD-13

Teilbestand: 199433

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMG6898LSD-13

Teilbestand: 109166

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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DMC6040SSD-13

Teilbestand: 146822

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ZXMHC6A07N8TC

Teilbestand: 158542

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.39A, 1.28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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DMG6301UDW-7

Teilbestand: 168789

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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DMC3016LDV-13

Teilbestand: 172087

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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DMC2990UDJQ-7

Teilbestand: 147861

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Monolithic Power Systems Inc.

DMNH6042SSD-13

Teilbestand: 182552

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16.7A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Microchip Technology

TC6321T-V/9U

Teilbestand: 64633

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

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LN60A01ES-LF

Teilbestand: 77637

FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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SI7923DN-T1-E3

Teilbestand: 101885

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI5902BDC-T1-E3

Teilbestand: 125159

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI5908DC-T1-GE3

Teilbestand: 118967

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIZ904DT-T1-GE3

Teilbestand: 140725

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI7923DN-T1-GE3

Teilbestand: 101842

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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