Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDMC9430L-F085

Teilbestand: 211

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLT1G

Teilbestand: 9983

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 30µA,

FDS8958A

Teilbestand: 10836

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDD8424H

Teilbestand: 181368

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

EFC4630R-TR

Teilbestand: 3001

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

FDMS3606AS

Teilbestand: 63299

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 27A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

FDS6982AS_G

Teilbestand: 2936

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

ECH8651R-R-TL-HX

Teilbestand: 2970

FDZ1416NZ

Teilbestand: 131465

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT1G

Teilbestand: 147994

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Teilbestand: 2912

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

SSM6N48FU,RF(D

Teilbestand: 2967

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

IRF7380QTRPBF

Teilbestand: 2971

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

IRF7341QTRPBF

Teilbestand: 2975

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF5810TRPBF

Teilbestand: 3074

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7904PBF

Teilbestand: 75561

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.25V @ 25µA,

IRF7343TRPBF

Teilbestand: 191306

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMN1003UCA6-7

Teilbestand: 9998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

DMN63D1LDW-13

Teilbestand: 120600

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

DMT3020LFDB-7

Teilbestand: 173648

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ZXMC4559DN8TC

Teilbestand: 98680

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

DMN2028UFU-13

Teilbestand: 184757

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMG8601UFG-7

Teilbestand: 139933

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.05V @ 250µA,

DMC1030UFDBQ-7

Teilbestand: 120462

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMP2200UDW-13

Teilbestand: 108457

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 900mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

DMN63D1LDW-7

Teilbestand: 176531

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

CSD83325L

Teilbestand: 156131

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

VMM300-03F

Teilbestand: 404

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 290A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 30mA,

VMM650-01F

Teilbestand: 405

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 680A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 30mA,

UPA1764G-E1-A

Teilbestand: 2982

SI1905BDH-T1-E3

Teilbestand: 3022

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI4904DY-T1-GE3

Teilbestand: 68499

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

SI4900DY-T1-GE3

Teilbestand: 132105

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SIA907EDJT-T1-GE3

Teilbestand: 150001

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

TC6215TG-G

Teilbestand: 66450

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

PHN210,118

Teilbestand: 3099

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 1mA,