Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

QJD1210010

Teilbestand: 2869

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

QJD1210SA1

Teilbestand: 2941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 34mA,

HCT802TX

Teilbestand: 1374

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

ZXMD63C02XTC

Teilbestand: 2674

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

DMP2240UDM-7

Teilbestand: 152559

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI4500BDY-T1-E3

Teilbestand: 2701

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

SI3909DV-T1-E3

Teilbestand: 2856

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 500mV @ 250µA (Min),

SI4830CDY-T1-GE3

Teilbestand: 135529

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

SI9933BDY-T1-E3

Teilbestand: 2801

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

SI1553DL-T1-E3

Teilbestand: 2696

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA, 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

SI9945AEY-T1

Teilbestand: 2814

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI1539DL-T1-GE3

Teilbestand: 2837

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 420mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

SI4330DY-T1-GE3

Teilbestand: 2810

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI3905DV-T1-E3

Teilbestand: 2795

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

SI7501DN-T1-GE3

Teilbestand: 57296

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI5975DC-T1-GE3

Teilbestand: 2853

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 1mA (Min),

SI6943BDQ-T1-GE3

Teilbestand: 2834

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA,

SI6963BDQ-T1-GE3

Teilbestand: 2791

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

STS2DPF80

Teilbestand: 2631

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

STS3C2F100

Teilbestand: 2685

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

JANTX2N7335

Teilbestand: 2875

FET-Typ: 4 P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

EPC2105ENG

Teilbestand: 2911

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2.5mA,

NDS9953A

Teilbestand: 2676

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

FDS3812

Teilbestand: 2733

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

FDG6320C_D87Z

Teilbestand: 2690

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

ECH8651R-R-TL-H

Teilbestand: 2871

FDJ1028N

Teilbestand: 2716

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDMA1029PZ

Teilbestand: 178279

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

IRF8513TRPBF

Teilbestand: 2774

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

IRF7314PBF

Teilbestand: 86093

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

IRF7907PBF

Teilbestand: 2738

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

IRF9910PBF

Teilbestand: 2659

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.55V @ 250µA,

IRF7754TRPBF

Teilbestand: 2835

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

IRF9956TR

Teilbestand: 2695

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SP8K5TB

Teilbestand: 2680

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

TPC8208(TE12L,Q)

Teilbestand: 2694

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,