Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

SI6955ADQ-T1-E3

Teilbestand: 2891

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI4834CDY-T1-E3

Teilbestand: 135916

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

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Vishay Siliconix

SI4230DY-T1-GE3

Teilbestand: 2831

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7216DN-T1-E3

Teilbestand: 113570

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1034X-T1-E3

Teilbestand: 2786

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-E3

Teilbestand: 2773

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 960mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7222DN-T1-GE3

Teilbestand: 2787

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6966EDQ-T1-E3

Teilbestand: 2830

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI4500BDY-T1-GE3

Teilbestand: 2858

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

Teilbestand: 139446

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M6TB

Teilbestand: 2678

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J4TB

Teilbestand: 2713

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Infineon Technologies

IRF8915TR

Teilbestand: 2721

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7380PBF

Teilbestand: 76115

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7501TR

Teilbestand: 2653

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7325PBF

Teilbestand: 2703

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7306PBF

Teilbestand: 89560

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA1

Teilbestand: 2968

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 20µA,

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ON Semiconductor

NTHC5513T1

Teilbestand: 2668

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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ON Semiconductor

NDS9943

Teilbestand: 2643

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V,

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ON Semiconductor

FDS6961A_F011

Teilbestand: 2716

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDSS2407

Teilbestand: 105427

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 62V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

MVDF1N05ER2G

Teilbestand: 2912

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

MMDF1N05ER2G

Teilbestand: 2931

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDW2503NZ

Teilbestand: 2736

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

NTZD3154NT2G

Teilbestand: 2755

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDS4935

Teilbestand: 2757

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FD6M045N06

Teilbestand: 2803

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMD65P02N8TC

Teilbestand: 2713

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

ZXMD63P02XTC

Teilbestand: 2747

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

ZDM4206NTC

Teilbestand: 2742

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-7

Teilbestand: 163902

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Renesas Electronics America

UPA2373T1P-E4-A

Teilbestand: 2961

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

Teilbestand: 2756

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

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EPC

EPC2104

Teilbestand: 24318

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5.5mA,

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IXYS

GWM220-004P3-SMD SAM

Teilbestand: 2762

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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