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RFQs / Order.
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

CMRDM3575 TR
Central Semiconductor Corp

CMRDM3575 TR

Teilbestand: 101846

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF9952
Infineon Technologies

IRF9952

Teilbestand: 2678

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7105PBF
Infineon Technologies

IRF7105PBF

Teilbestand: 95108

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7311TR
Infineon Technologies

IRF7311TR

Teilbestand: 3313

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF6802SDTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6802SDTR1PBF

Teilbestand: 2905

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 35µA,

Wunschzettel.
IRF6702M2DTRPBF
Infineon Technologies

IRF6702M2DTRPBF

Teilbestand: 2830

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

Wunschzettel.
IRF9362PBF
Infineon Technologies

IRF9362PBF

Teilbestand: 2823

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 25µA,

Wunschzettel.
IRF7316GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7316GTRPBF

Teilbestand: 2626

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7555TR
Infineon Technologies

IRF7555TR

Teilbestand: 2893

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF5810
Infineon Technologies

IRF5810

Teilbestand: 2637

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRFH7911TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7911TR2PBF

Teilbestand: 2817

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

Wunschzettel.
FDC6036P_F077
ON Semiconductor

FDC6036P_F077

Teilbestand: 2788

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDS6812A
ON Semiconductor

FDS6812A

Teilbestand: 2711

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDG6302P
ON Semiconductor

FDG6302P

Teilbestand: 2666

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTQD4154ZR2
ON Semiconductor

NTQD4154ZR2

Teilbestand: 2660

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTTD1P02R2
ON Semiconductor

NTTD1P02R2

Teilbestand: 2729

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.45A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTJD4105CT2
ON Semiconductor

NTJD4105CT2

Teilbestand: 2725

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
FW813-TL-H
ON Semiconductor

FW813-TL-H

Teilbestand: 2907

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel.
MMDF1N05ER2
ON Semiconductor

MMDF1N05ER2

Teilbestand: 2640

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTJD2152PT4G
ON Semiconductor

NTJD2152PT4G

Teilbestand: 2775

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTLJD3119CTAG
ON Semiconductor

NTLJD3119CTAG

Teilbestand: 2878

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTZD3152PT5G
ON Semiconductor

NTZD3152PT5G

Teilbestand: 2734

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
QJD1210SA2
Powerex Inc.

QJD1210SA2

Teilbestand: 2896

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 34mA,

Wunschzettel.
DMC3036LSD-13
Diodes Incorporated

DMC3036LSD-13

Teilbestand: 2792

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.
ZXMN3A04DN8TC
Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TC

Teilbestand: 2746

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

Wunschzettel.
DMN32D2LV-7
Diodes Incorporated

DMN32D2LV-7

Teilbestand: 141799

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

Wunschzettel.
ZVN4206NTC
Diodes Incorporated

ZVN4206NTC

Teilbestand: 2706

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V,

Wunschzettel.
SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5975DC-T1-E3

Teilbestand: 2864

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 1mA (Min),

Wunschzettel.
SI6973DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6973DQ-T1-E3

Teilbestand: 2882

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

Wunschzettel.
SI1988DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1988DH-T1-GE3

Teilbestand: 2796

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ900DT-T1-GE3

Teilbestand: 87000

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A, 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI7958DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7958DP-T1-E3

Teilbestand: 3297

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI4816DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-GE3

Teilbestand: 2804

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, 7.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

Wunschzettel.
EPC2103ENG
EPC

EPC2103ENG

Teilbestand: 2868

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

Wunschzettel.
STL60N32N3LL
STMicroelectronics

STL60N32N3LL

Teilbestand: 2652

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A, 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8K5FU6TB

Teilbestand: 180120

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.