Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

IRF5850TRPBF

Teilbestand: 2861

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7752TR

Teilbestand: 2727

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

IRF7910PBF

Teilbestand: 2677

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

NDS9955

Teilbestand: 2650

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT4

Teilbestand: 3343

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDW2521C

Teilbestand: 2698

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDQ7698S

Teilbestand: 2709

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ECH8653-TL-H

Teilbestand: 2909

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 8V,

EFC6611R-A-TF

Teilbestand: 143033

HUFA76407DK8T

Teilbestand: 2694

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ECH8697R-TL-W

Teilbestand: 174631

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V,

ECH8651R-TL-H

Teilbestand: 196025

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

FDS4895C

Teilbestand: 2830

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 250µA,

ECH8651R-TL-HX

Teilbestand: 2884

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLJD3181PZTBG

Teilbestand: 2812

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTMD6N02R2

Teilbestand: 2688

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.92A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FDMJ1028N

Teilbestand: 2696

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDS6994S

Teilbestand: 3320

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI1912EDH-T1-E3

Teilbestand: 2739

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.13A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 100µA (Min),

SI1563DH-T1-E3

Teilbestand: 3284

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.13A, 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

SI4834CDY-T1-GE3

Teilbestand: 135475

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

SI6943BDQ-T1-E3

Teilbestand: 2779

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA,

SI7960DP-T1-GE3

Teilbestand: 2812

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI7222DN-T1-E3

Teilbestand: 2764

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

SI1553DL-T1

Teilbestand: 2791

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA, 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

IXTL2X180N10T

Teilbestand: 8037

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075P

Teilbestand: 2781

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SMD

Teilbestand: 2800

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SMDSAM

Teilbestand: 2777

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

TMC1620-TO

Teilbestand: 2933

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SP8M5TB

Teilbestand: 2649

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

SP8M10FU6TB

Teilbestand: 2786

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

STS1DNF20

Teilbestand: 3271

PMDPB65UP,115

Teilbestand: 2646

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMC3035LSD-13

Teilbestand: 2777

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

DMP2100UCB9-7

Teilbestand: 181216

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,