Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

IRF7316PBF

Teilbestand: 82106

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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IRF9910

Teilbestand: 2735

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.55V @ 250µA,

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IRF7902PBF

Teilbestand: 2704

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.25V @ 25µA,

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IRFHM8363TR2PBF

Teilbestand: 2853

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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IRF6150

Teilbestand: 2693

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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IRF9956

Teilbestand: 2709

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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IRF5851TR

Teilbestand: 2645

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A, 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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IRF7325TR

Teilbestand: 2643

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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SI4920DY-T1-GE3

Teilbestand: 3373

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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SI7530DP-T1-E3

Teilbestand: 2779

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI4226DY-T1-GE3

Teilbestand: 2790

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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SI5903DC-T1-GE3

Teilbestand: 2802

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

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SI5509DC-T1-GE3

Teilbestand: 2824

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.1A, 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI4908DY-T1-GE3

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SI6973DQ-T1-GE3

Teilbestand: 2819

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

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SI4972DY-T1-E3

Teilbestand: 2770

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.8A, 7.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI6967DQ-T1-GE3

Teilbestand: 2883

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

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SIA921EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 107104

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SIB911DK-T1-GE3

Teilbestand: 2759

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI4340CDY-T1-E3

Teilbestand: 2692

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.1A, 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI6966EDQ-T1-GE3

Teilbestand: 3300

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

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SI4563DY-T1-GE3

Teilbestand: 2834

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS7C4F30L

Teilbestand: 2694

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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NTJD4001NT1

Teilbestand: 2735

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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FDS6993

Teilbestand: 2762

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 6.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NTJD4105CT4G

Teilbestand: 2731

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NTJD2152PT1G

Teilbestand: 2674

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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NTMFD4C86NT3G

Teilbestand: 29372

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.3A, 18.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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NTJD4158CT2G

Teilbestand: 2806

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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NTHD4401PT3

Teilbestand: 2756

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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