Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDMS3616S

Teilbestand: 2851

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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FDW2507NZ

Teilbestand: 2692

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NTQD6968NR2G

Teilbestand: 2683

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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NDS9925A

Teilbestand: 2695

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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NTZD3154NT1H

Teilbestand: 188943

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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ECH8675-TL-H

Teilbestand: 2918

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

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FDS6984S

Teilbestand: 2757

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NDS9942

Teilbestand: 2712

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

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NTMD2P01R2

Teilbestand: 2666

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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FDJ1027P

Teilbestand: 2758

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NDS9956A

Teilbestand: 2657

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

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NTHD5905T1

Teilbestand: 2720

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA,

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MMDF2N02ER2

Teilbestand: 2712

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NDM3000

Teilbestand: 2702

FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

NDS8926

Teilbestand: 2667

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIA511DJ-T1-GE3

Teilbestand: 2748

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI1970DH-T1-GE3

Teilbestand: 3345

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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SI7911DN-T1-GE3

Teilbestand: 3351

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIA914DJ-T1-E3

Teilbestand: 2809

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SQJ940EP-T1_GE3

Teilbestand: 137151

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI4804BDY-T1-E3

Teilbestand: 2731

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI1025X-T1-E3

Teilbestand: 2759

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI1033X-T1-E3

Teilbestand: 2716

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 145mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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SI4544DY-T1-E3

Teilbestand: 2827

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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SIS902DN-T1-GE3

Teilbestand: 5353

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI4830ADY-T1-GE3

Teilbestand: 2864

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI5504DC-T1-GE3

Teilbestand: 2847

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

Teilbestand: 83530

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, 800mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DI9945T

Teilbestand: 2659

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

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IRFHS9351TR2PBF

Teilbestand: 2826

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 10µA,

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IRF7750

Teilbestand: 2669

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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IRF7754GTRPBF

Teilbestand: 2807

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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