Teilbestand: 2851
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,