Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

NTHD2102PT1

Teilbestand: 2736

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT2

Teilbestand: 2687

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDR8305N

Teilbestand: 2685

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTHD5904T1

Teilbestand: 3342

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA,

NTJD2152PT1

Teilbestand: 3331

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTMD6N03R2

Teilbestand: 2644

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-HX

Teilbestand: 2893

NTUD3171PZT5G

Teilbestand: 2770

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTHD5903T1G

Teilbestand: 2841

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA,

NDS9933

Teilbestand: 2913

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTMD2C02R2

Teilbestand: 3292

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FDY3001NZ

Teilbestand: 2778

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDS9933

Teilbestand: 2763

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2

Teilbestand: 2669

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

SI7214DN-T1-E3

Teilbestand: 99156

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI4532ADY-T1-E3

Teilbestand: 139238

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

SI5513DC-T1-E3

Teilbestand: 2794

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

SI5947DU-T1-E3

Teilbestand: 2793

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

SI7909DN-T1-E3

Teilbestand: 2903

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 700µA,

SIZ914DT-T1-GE3

Teilbestand: 89189

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

SI4834BDY-T1-E3

Teilbestand: 2745

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SIB911DK-T1-E3

Teilbestand: 2804

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI7224DN-T1-GE3

Teilbestand: 139892

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

SMMB911DK-T1-GE3

Teilbestand: 2878

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI4913DY-T1-E3

Teilbestand: 2758

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 500µA,

QJD1210011

Teilbestand: 3308

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

MP6M12TCR

Teilbestand: 2901

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

IRF7324PBF

Teilbestand: 40730

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF7313QTRPBF

Teilbestand: 2771

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF7103Q

Teilbestand: 2957

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ZXMN6A09DN8TC

Teilbestand: 2680

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ZXMN3A06DN8TC

Teilbestand: 2755

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

UPA2670T1R-E2-AX

Teilbestand: 2933

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

PHKD6N02LT,518

Teilbestand: 148309

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

LP1030DK1-G

Teilbestand: 2955

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 1mA,

LN100LA-G

Teilbestand: 2875

FET-Typ: 2 N-Channel (Cascoded), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 10µA,