Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

DMN2040LSD-13

Teilbestand: 2799

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

ZXMD65N02N8TA

Teilbestand: 2663

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

ZDM4206NTA

Teilbestand: 2634

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

DMN32D2LDF-7

Teilbestand: 157687

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

SI4947ADY-T1-GE3

Teilbestand: 2852

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

SI1913DH-T1-E3

Teilbestand: 2766

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

SI4276DY-T1-GE3

Teilbestand: 2851

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

SI3905DV-T1-GE3

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

SI4913DY-T1-GE3

Teilbestand: 2852

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 500µA,

SI3909DV-T1-GE3

Teilbestand: 2826

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 500mV @ 250µA (Min),

SI4944DY-T1-GE3

Teilbestand: 2874

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI4933DY-T1-GE3

Teilbestand: 2815

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 500µA,

SI7909DN-T1-GE3

Teilbestand: 2908

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 700µA,

SI7844DP-T1-E3

Teilbestand: 3302

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

SI4567DY-T1-GE3

Teilbestand: 2812

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

NTTD1P02R2G

Teilbestand: 2740

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.45A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

FDW2601NZ

Teilbestand: 2725

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDG6314P

Teilbestand: 2687

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V,

FDC6322C

Teilbestand: 2713

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 460mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTLGD3502NT1G

Teilbestand: 2831

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

NTLJD2105LTBG

Teilbestand: 2816

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTHD5902T1

Teilbestand: 2641

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDZ2553NZ

Teilbestand: 2698

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

IRF7104PBF

Teilbestand: 100274

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

IRF7328TR

Teilbestand: 2700

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

IRF7304PBF

Teilbestand: 67896

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

IRF7530TR

Teilbestand: 2684

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7755

Teilbestand: 2693

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7350TRPBF

Teilbestand: 3331

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

IRF7306QTRPBF

Teilbestand: 2778

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

STS3DPF60L

Teilbestand: 2674

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

VMM1000-01P

Teilbestand: 2737

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1000A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 800A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,

FMM300-0055P

Teilbestand: 2746

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2mA,

QJD1210SB1

Teilbestand: 2931

SP8M8TB

Teilbestand: 3276

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

PHKD13N03LT,518

Teilbestand: 123779

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,