Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

PHKD13N03LT,118

Teilbestand: 2834

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

SI3911DV-T1-E3

Teilbestand: 2792

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

SI4565ADY-T1-E3

Teilbestand: 2757

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 5.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

SI7945DP-T1-GE3

Teilbestand: 2809

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI6993DQ-T1-GE3

Teilbestand: 2801

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI5905BDC-T1-E3

Teilbestand: 2802

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI5943DU-T1-GE3

Teilbestand: 3377

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI5935DC-T1-GE3

Teilbestand: 2861

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SI3586DV-T1-GE3

Teilbestand: 2865

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

IRF7755GTRPBF

Teilbestand: 2770

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7335D1TR

Teilbestand: 2727

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF7331

Teilbestand: 2682

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7316QTRPBF

Teilbestand: 3347

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF7503TR

Teilbestand: 2661

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF7343QTRPBF

Teilbestand: 2838

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IRF7757TRPBF

Teilbestand: 2819

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

IRF7304TR

Teilbestand: 2707

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

TPCL4203(TE85L,F)

Teilbestand: 3305

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

FDG6313N

Teilbestand: 2667

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

Teilbestand: 36648

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.7A, 14.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

Teilbestand: 2796

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

Teilbestand: 2747

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

Teilbestand: 103434

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

Teilbestand: 2797

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

Teilbestand: 2775

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

Teilbestand: 134119

NSTJD1155LT1G

Teilbestand: 2852

ECH8659-M-TL-H

Teilbestand: 2889

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTND31225CZTAG

Teilbestand: 21663

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), 127mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FW282-TL-E

Teilbestand: 2908

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

VEC2616-TL-H

Teilbestand: 2969

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

STS4DPF30L

Teilbestand: 107386

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

EPC2102

Teilbestand: 24374

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

SP8M9FU6TB

Teilbestand: 2786

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

US5K3TR

Teilbestand: 2728

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A,