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RFQs / Order.
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Transistoren - IGBTs - Module

APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

Teilbestand: 238

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

Teilbestand: 596

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 840A, Leistung max: 3000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Wunschzettel.
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

Teilbestand: 1078

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT100DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

Teilbestand: 1515

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

Teilbestand: 1144

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

Teilbestand: 320

Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

Teilbestand: 1402

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT300A120G
Microsemi Corporation

APTGT300A120G

Teilbestand: 588

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1380W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

Teilbestand: 1369

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

Teilbestand: 762

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 560A, Leistung max: 1785W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation

APTGT100A170TG

Teilbestand: 1066

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT300SK120G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

Teilbestand: 816

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1380W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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APTGLQ80HR120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

Teilbestand: 1034

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

Wunschzettel.
APTGL475DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

Teilbestand: 763

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 610A, Leistung max: 2080W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGT100SK170TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

Teilbestand: 1414

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

Teilbestand: 1115

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APT35GT120JU3
Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

Teilbestand: 3761

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 260W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
APTGLQ600A65T6G
Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

Teilbestand: 512

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1200A, Leistung max: 2000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Wunschzettel.
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

Teilbestand: 816

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 340A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Wunschzettel.
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

Teilbestand: 726

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1040W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

Teilbestand: 2480

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGLQ300SK120G
Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

Teilbestand: 249

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500A, Leistung max: 1500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGT100H120G
Microsemi Corporation

APTGT100H120G

Teilbestand: 718

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT300DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

Teilbestand: 767

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1470W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGL90DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

Teilbestand: 2308

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGLQ400A120T6G
Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

Teilbestand: 452

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 1900W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

Teilbestand: 261

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50H60RT3G
Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

Teilbestand: 1712

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGL90H120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

Teilbestand: 1107

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT400DU120G
Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

Teilbestand: 445

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 560A, Leistung max: 1785W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

Teilbestand: 1368

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 350W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGL120TA120TPG
Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

Teilbestand: 398

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 517W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

Teilbestand: 970

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGL120TDU120TPG
Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

Teilbestand: 524

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 517W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

Teilbestand: 1382

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGL60TL120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

Teilbestand: 1437

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.