Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - IGBTs - Module

APTGT150H170G
Microsemi Corporation

APTGT150H170G

Teilbestand: 495

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT400A120G
Microsemi Corporation

APTGT400A120G

Teilbestand: 537

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 560A, Leistung max: 1785W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTCV40H60CT1G
Microsemi Corporation

APTCV40H60CT1G

Teilbestand: 1640

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM45RT3G

Teilbestand: 1446

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT300DA170G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170G

Teilbestand: 722

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1660W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU60PG

Teilbestand: 925

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT200H120G
Microsemi Corporation

APTGT200H120G

Teilbestand: 464

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGLQ100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120T3AG

Teilbestand: 797

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 185A, Leistung max: 650W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DDA120T3G

Teilbestand: 1762

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGT100A120T3AG

Teilbestand: 1206

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 595W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APT75GT120JU3
Microsemi Corporation

APT75GT120JU3

Teilbestand: 2982

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGL180A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGL180A120T3AG

Teilbestand: 1144

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 230A, Leistung max: 940W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGL40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGL40H120T1G

Teilbestand: 1697

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 220W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
APTCV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTCV50H60T3G

Teilbestand: 1553

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A60D3G

Teilbestand: 831

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 940W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation

APTGLQ100A120TG

Teilbestand: 251

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT300TL60G
Microsemi Corporation

APTGT300TL60G

Teilbestand: 570

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 935W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGL325A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325A120D3G

Teilbestand: 634

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50VDA65T3G

Teilbestand: 314

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50DDA65T3G

Teilbestand: 232

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT600A60G
Microsemi Corporation

APTGT600A60G

Teilbestand: 452

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 2300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Wunschzettel.
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation

APTGT20TL601G

Teilbestand: 2340

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Leistung max: 62W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Wunschzettel.
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT150TA60PG

Teilbestand: 689

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120T1G

Teilbestand: 2393

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation

APTGT450SK60G

Teilbestand: 807

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 550A, Leistung max: 1750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Wunschzettel.
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation

APTGT150TL60G

Teilbestand: 901

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120G

Teilbestand: 766

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 560A, Leistung max: 1785W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGL40X120T3G
Microsemi Corporation

APTGL40X120T3G

Teilbestand: 1371

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 220W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
APT40GL120JU2
Microsemi Corporation

APT40GL120JU2

Teilbestand: 3667

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 220W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation

APTGT150DH170G

Teilbestand: 707

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation

APTGT150DH120G

Teilbestand: 790

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TDU170PG

Teilbestand: 697

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT35GT120JU2
Microsemi Corporation

APT35GT120JU2

Teilbestand: 3790

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 260W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation

APTGT50A170TG

Teilbestand: 1356

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100BB60T3G

Teilbestand: 1239

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A120D3G

Teilbestand: 570

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 440A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.