Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - IGBTs - Module

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

Teilbestand: 1378

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Wunschzettel.
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

Teilbestand: 1989

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Wunschzettel.
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

Teilbestand: 2465

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 170W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

Teilbestand: 620

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

Teilbestand: 595

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

Teilbestand: 549

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

Teilbestand: 602

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

Teilbestand: 625

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

Teilbestand: 542

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

Teilbestand: 1816

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 128A, Leistung max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

Teilbestand: 541

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

Teilbestand: 556

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

Teilbestand: 534

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

Teilbestand: 607

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

Teilbestand: 579

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

Teilbestand: 542

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

Teilbestand: 560

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 230A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

Teilbestand: 5334

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

Teilbestand: 574

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

Teilbestand: 2416

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 112A, Leistung max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Wunschzettel.
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

Teilbestand: 2286

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 84A, Leistung max: 417W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

Teilbestand: 2197

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 283A, Leistung max: 682W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

Teilbestand: 578

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

Teilbestand: 3071

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

Teilbestand: 594

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

Teilbestand: 580

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 210A, Leistung max: 1041W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

Teilbestand: 540

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

Teilbestand: 581

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

Teilbestand: 600

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 210A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

Teilbestand: 585

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

Teilbestand: 3077

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

Teilbestand: 609

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter - IGBT, FET, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

Teilbestand: 524

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter - IGBT, FET, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

Teilbestand: 1322

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 215A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.