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Transistoren - IGBTs - Module

APTGLQ100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

Teilbestand: 324

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

Teilbestand: 317

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: 2 Independent, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Wunschzettel.
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

Teilbestand: 1591

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

Teilbestand: 1766

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

Teilbestand: 510

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600A, Leistung max: 1000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

Teilbestand: 268

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT75A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

Teilbestand: 2517

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

Teilbestand: 1938

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

Teilbestand: 297

Aufbau: Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 483W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

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APTGT100H60TG
Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

Teilbestand: 1208

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

Teilbestand: 505

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 350A, Leistung max: 1000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

Teilbestand: 718

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 2300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

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APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

Teilbestand: 2807

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

Teilbestand: 692

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 610A, Leistung max: 2082W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

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APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

Teilbestand: 1579

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

Teilbestand: 1313

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

Teilbestand: 1568

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1470W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

Teilbestand: 920

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

Teilbestand: 631

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1660W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

Teilbestand: 443

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 580A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

Teilbestand: 1919

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

Teilbestand: 530

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

Teilbestand: 255

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 483W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

Teilbestand: 237

Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

Teilbestand: 1419

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

Teilbestand: 851

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

Teilbestand: 2031

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

Teilbestand: 770

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 340A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Wunschzettel.
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

Teilbestand: 2167

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

Teilbestand: 515

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 340A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Wunschzettel.
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

Teilbestand: 1579

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 290A, Leistung max: 750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

Teilbestand: 709

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

Teilbestand: 1593

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

Teilbestand: 244

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 125W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

Teilbestand: 292

Aufbau: Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 483W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

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