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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

GBL10-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL10-M3/45

Teilbestand: 117692

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
G2SB80-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB80-E3/51

Teilbestand: 161616

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBLA01-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA01-E3/45

Teilbestand: 156252

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBLA02-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA02-E3/45

Teilbestand: 156262

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS156GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS156GHRDG

Teilbestand: 143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC3510W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3510W T0G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBL202G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL202G C1G

Teilbestand: 97

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel.
TS8P01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P01GHC2G

Teilbestand: 157

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
D2SB05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB05HD2G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
DBLS153G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS153G RDG

Teilbestand: 139

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS209G C1G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

Wunschzettel.
TS40P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P07G D2G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS15PL05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL05G D2G

Teilbestand: 125

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS8P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P06G D2G

Teilbestand: 143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBS6 RCG

Teilbestand: 149

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
RDBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

RDBLS207G RDG

Teilbestand: 78

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL103G C1G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC3504M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3504M T0G

Teilbestand: 83

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBL005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL005 D2G

Teilbestand: 153

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 5V,

Wunschzettel.
TS15P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P06G C2G

Teilbestand: 94

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC4002 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4002 T0G

Teilbestand: 79

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBL02HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL02HD2G

Teilbestand: 102

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS153GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS153GHRDG

Teilbestand: 142

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS158GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS158GHRDG

Teilbestand: 155

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
DBLS157GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS157GHC1G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBL155G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL155G C1G

Teilbestand: 166

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
SC35VB160-G
Comchip Technology

SC35VB160-G

Teilbestand: 5057

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1600V,

Wunschzettel.
GBU2508-G
Comchip Technology

GBU2508-G

Teilbestand: 49567

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBJ2502-05-G
Comchip Technology

GBJ2502-05-G

Teilbestand: 111

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBPC1510-G
Comchip Technology

KBPC1510-G

Teilbestand: 40385

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
KBU3502-G
Comchip Technology

KBU3502-G

Teilbestand: 69261

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
DF02S-G
Comchip Technology

DF02S-G

Teilbestand: 115760

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBJ2510-06-G
Comchip Technology

GBJ2510-06-G

Teilbestand: 106

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DF01-G
Comchip Technology

DF01-G

Teilbestand: 193135

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBPC2508-G
Comchip Technology

GBPC2508-G

Teilbestand: 32602

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU15005TB
SMC Diode Solutions

GBU15005TB

Teilbestand: 171385

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.