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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

CBR1-L100M
Central Semiconductor Corp

CBR1-L100M

Teilbestand: 125253

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS15P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P05G C2G

Teilbestand: 144

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC40005 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC40005 T0G

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
D2SB20 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB20 D2G

Teilbestand: 168

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC50005 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC50005 T0G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
DBL203GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL203GHC1G

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS158G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS158G RDG

Teilbestand: 80

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
TS15P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P07G D2G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBLA08HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA08HD2G

Teilbestand: 79

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
TSS4B01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B01G C2G

Teilbestand: 102

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
HDBL105G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL105G C1G

Teilbestand: 176

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
UR4KB100-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

UR4KB100-B C2G

Teilbestand: 93

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS8P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P06GHD2G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU2504 D2
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU2504 D2

Teilbestand: 116

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
TS50P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P07G C2G

Teilbestand: 72

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS24HRGG

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 40V,

Wunschzettel.
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU403 D2G

Teilbestand: 118

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS154GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS154GHRDG

Teilbestand: 159

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel.
DBLS204G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS204G RDG

Teilbestand: 174

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel.
EABS1J REG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1J REG

Teilbestand: 109

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS25P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P05GHC2G

Teilbestand: 162

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBL204 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL204 D2G

Teilbestand: 116

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
DBLS106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS106G C1G

Teilbestand: 154

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
DBLS156G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS156G C1G

Teilbestand: 105

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
TS8P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P07GHD2G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
KBU2506-G
Comchip Technology

KBU2506-G

Teilbestand: 63146

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBU401-G
Comchip Technology

GBU401-G

Teilbestand: 81011

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBU2504-G
Comchip Technology

GBU2504-G

Teilbestand: 47569

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
CDBHM120L-G
Comchip Technology

CDBHM120L-G

Teilbestand: 179980

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 20V,

Wunschzettel.
DF201-G
Comchip Technology

DF201-G

Teilbestand: 187491

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBPC1502W-G
Comchip Technology

GBPC1502W-G

Teilbestand: 36179

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GHXS020A060S-D1
Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1

Teilbestand: 1478

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 600V,

Wunschzettel.
GHXS030A060S-D1
Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1

Teilbestand: 1214

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 600V,

Wunschzettel.
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division

CPC7557N

Teilbestand: 155181

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.49V @ 250mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 100V,

Wunschzettel.
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division

CPC7557NTR

Teilbestand: 188136

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.49V @ 250mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBJ1008-F
Diodes Incorporated

GBJ1008-F

Teilbestand: 29339

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.