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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Brückengleichrichter

GBL005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL005HD2G

Teilbestand: 151

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 5V,

Wunschzettel.
EABS1GHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1GHREG

Teilbestand: 171

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC3506W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3506W T0G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS8P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P07GHC2G

Teilbestand: 146

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS6P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P07G D2G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBS4HRCG

Teilbestand: 102

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
DBLS159GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS159GHC1G

Teilbestand: 173

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

Wunschzettel.
TS8P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P01G D2G

Teilbestand: 116

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
TS10KL100HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10KL100HD3G

Teilbestand: 163

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBLS159GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS159GHRDG

Teilbestand: 171

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

Wunschzettel.
GBU604 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU604 D2G

Teilbestand: 83

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC2510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2510M T0G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
EABS1DHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1DHRGG

Teilbestand: 143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 200V,

Wunschzettel.
EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

EABS1GHRGG

Teilbestand: 130

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC5004 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5004 T0G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBL08-G
Comchip Technology

GBL08-G

Teilbestand: 81617

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC1510-G
Comchip Technology

GBPC1510-G

Teilbestand: 32600

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
KBP204G-G
Comchip Technology

KBP204G-G

Teilbestand: 114463

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBJ2504-G
Comchip Technology

GBJ2504-G

Teilbestand: 40902

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU1508-G
Comchip Technology

GBU1508-G

Teilbestand: 64040

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC2502W-G
Comchip Technology

GBPC2502W-G

Teilbestand: 35795

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBPC3508W-G
Comchip Technology

KBPC3508W-G

Teilbestand: 34635

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
KBPC1006-G
Comchip Technology

KBPC1006-G

Teilbestand: 41759

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DF1510ST-G
Comchip Technology

DF1510ST-G

Teilbestand: 101267

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
KBPC1510W-G
Comchip Technology

KBPC1510W-G

Teilbestand: 44940

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBJ2508-05-G
Comchip Technology

GBJ2508-05-G

Teilbestand: 89

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
KBPC2510W-G
Comchip Technology

KBPC2510W-G

Teilbestand: 40445

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC1506W-G
Comchip Technology

GBPC1506W-G

Teilbestand: 36172

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
VS-90MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-90MT120KPBF

Teilbestand: 1197

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A,

Wunschzettel.
RMB2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

RMB2S-E3/80

Teilbestand: 156982

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

LVE1560-M3/P

Teilbestand: 64

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBLA08-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-E3/45

Teilbestand: 156231

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBL08-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL08-M3/51

Teilbestand: 117707

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBLA06-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-M3/45

Teilbestand: 126698

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
CBR2-L040M
Central Semiconductor Corp

CBR2-L040M

Teilbestand: 135607

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GHXS030A120S-D1E
Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1E

Teilbestand: 720

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

Wunschzettel.