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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

DBLS151GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS151GHRDG

Teilbestand: 94

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

Wunschzettel.
HDBLS105G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS105G C1G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBLA10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA10 D2G

Teilbestand: 156

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBL204GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL204GHC1G

Teilbestand: 139

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel.
HDBLS103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS103G C1G

Teilbestand: 109

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
DBLS105GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS105GHC1G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU404 D2G

Teilbestand: 175

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC15005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC15005M T0G

Teilbestand: 111

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
TS8P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P02G D2G

Teilbestand: 154

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU15L05HD2G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC3506 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3506 T0G

Teilbestand: 175

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
TSS4B04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04G D2G

Teilbestand: 76

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBL201HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL201HD2G

Teilbestand: 169

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU403HD2G

Teilbestand: 104

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS15P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P07G C2G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBLA06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA06 D2G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC2501 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2501 T0G

Teilbestand: 110

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
HDBL101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL101G C1G

Teilbestand: 88

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
TS25P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P05GHD2G

Teilbestand: 144

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC2506M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2506M T0G

Teilbestand: 89

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS6K40 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K40 D3G

Teilbestand: 158

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBLA10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-M3/51

Teilbestand: 126691

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
G2SB20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/51

Teilbestand: 112683

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
G2SB20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/45

Teilbestand: 120678

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
VS-70MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT120KPBF

Teilbestand: 1124

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A,

Wunschzettel.
GBJ2504-03-G
Comchip Technology

GBJ2504-03-G

Teilbestand: 130

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU1502-G
Comchip Technology

GBU1502-G

Teilbestand: 65011

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBPC2506-G
Comchip Technology

KBPC2506-G

Teilbestand: 37002

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC15005W-G
Comchip Technology

GBPC15005W-G

Teilbestand: 36200

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBU602-G
Comchip Technology

GBU602-G

Teilbestand: 71677

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
DF15005S-G
Comchip Technology

DF15005S-G

Teilbestand: 178799

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
KBPC5002-G
Comchip Technology

KBPC5002-G

Teilbestand: 30707

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBU604-G
Comchip Technology

GBU604-G

Teilbestand: 71608

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU4B
ON Semiconductor

GBU4B

Teilbestand: 64324

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
DBF210-13
Diodes Incorporated

DBF210-13

Teilbestand: 107

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1

Teilbestand: 658

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

Wunschzettel.