Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APTGT100A170TG

Teilbestand: 1066

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

Teilbestand: 816

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1380W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

Teilbestand: 1034

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

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Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

Teilbestand: 763

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 610A, Leistung max: 2080W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

Teilbestand: 1414

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

Teilbestand: 1115

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

Teilbestand: 3761

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 260W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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APTGLQ600A65T6G

Teilbestand: 512

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1200A, Leistung max: 2000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

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APTGT225SK170G

Teilbestand: 816

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 340A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

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APTGT200A120D3G

Teilbestand: 726

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1040W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

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APTGT150DA60T1G

Teilbestand: 2480

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGLQ300SK120G

Teilbestand: 249

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500A, Leistung max: 1500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

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APTGT100H120G

Teilbestand: 718

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGT300DA170D3G

Teilbestand: 767

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1470W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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APTGL90DA120T1G

Teilbestand: 2308

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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APTGLQ400A120T6G

Teilbestand: 452

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 1900W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

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APTGLQ50H65T1G

Teilbestand: 261

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

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APTGT50H60RT3G

Teilbestand: 1712

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

Teilbestand: 1107

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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APTGT400DU120G

Teilbestand: 445

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 560A, Leistung max: 1785W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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APTGT75DU120TG

Teilbestand: 1368

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 350W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGL120TA120TPG

Teilbestand: 398

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 517W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

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APTGT200SK120G

Teilbestand: 970

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

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APTGL120TDU120TPG

Teilbestand: 524

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 517W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

Teilbestand: 1382

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

Teilbestand: 1437

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

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APTGLQ100DA120T1G

Teilbestand: 324

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

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APTGLQ200A120T3AG

Teilbestand: 317

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: 2 Independent, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

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Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

Teilbestand: 1591

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

Teilbestand: 1766

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

Teilbestand: 510

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600A, Leistung max: 1000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

Teilbestand: 268

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

Teilbestand: 2517

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

Teilbestand: 1938

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

Teilbestand: 297

Aufbau: Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 483W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

Teilbestand: 1208

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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