Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APT100GT120JR

Teilbestand: 1736

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 123A, Leistung max: 570W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT100GT60JRDQ4

Teilbestand: 2045

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 148A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF90H60T3G

Teilbestand: 1085

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT100GN120JDQ4

Teilbestand: 1595

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 153A, Leistung max: 446W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT50GF120JRDQ3

Teilbestand: 1110

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 521W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

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APT100GT120JRDQ4

Teilbestand: 1462

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 123A, Leistung max: 570W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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APT60GF120JRDQ3

Teilbestand: 910

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 149A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT60GA60JD60

Teilbestand: 2217

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 112A, Leistung max: 356W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A,

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APT45GP120JDQ2

Teilbestand: 1797

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 329W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

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APTGL700SK120D3G

Teilbestand: 657

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 840A, Leistung max: 3000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

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APTGT300SK60G

Teilbestand: 974

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1150W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT300DU120G

Teilbestand: 642

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1380W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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APTGT150DU120TG

Teilbestand: 1106

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT35H120T3G

Teilbestand: 1698

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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APTGT100TA120TPG

Teilbestand: 574

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGLQ25H120T2G

Teilbestand: 324

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 165W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGT200A602G

Teilbestand: 1730

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 290A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGT300DA60D3G

Teilbestand: 1121

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 940W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT100DA60T1G

Teilbestand: 2638

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT300DU60G

Teilbestand: 576

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1150W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM45BT3G

Teilbestand: 1224

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT750U60D4G

Teilbestand: 762

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1000A, Leistung max: 2300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A,

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APTGT100A120TG

Teilbestand: 1335

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G

Teilbestand: 313

Aufbau: Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGL240TL120G

Teilbestand: 511

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 305A, Leistung max: 1000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ150A120TG

Teilbestand: 304

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT600DU60G

Teilbestand: 478

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 2300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

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APTGT75SK120TG

Teilbestand: 1741

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT600SK60G

Teilbestand: 634

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 2300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

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APTGT400U120D4G

Teilbestand: 686

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600A, Leistung max: 2250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

Teilbestand: 806

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

Teilbestand: 1211

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 350W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

Teilbestand: 1016

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1150W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

Teilbestand: 726

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

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Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

Teilbestand: 1184

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

Teilbestand: 302

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1660W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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