Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APTGT150DA120G

Teilbestand: 1025

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

Teilbestand: 507

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 610A, Leistung max: 2080W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

Teilbestand: 1880

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

Teilbestand: 285

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 365W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

Teilbestand: 685

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 350W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

Teilbestand: 285

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

Teilbestand: 1701

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT300A60G

Teilbestand: 824

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1150W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

Teilbestand: 2132

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

Teilbestand: 1678

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

Teilbestand: 1713

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

Teilbestand: 586

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

Teilbestand: 698

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1150W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

Teilbestand: 2483

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Leistung max: 62W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT150H120G

Teilbestand: 519

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

Teilbestand: 1737

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

Teilbestand: 1412

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

Teilbestand: 2036

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

Teilbestand: 608

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 910A, Leistung max: 3000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

Teilbestand: 1098

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

Teilbestand: 1637

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

Teilbestand: 1338

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Leistung max: 210W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

Teilbestand: 2151

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

Teilbestand: 1534

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

Teilbestand: 301

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

Teilbestand: 1788

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

Teilbestand: 238

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 175W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

Teilbestand: 596

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 840A, Leistung max: 3000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

Teilbestand: 1078

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

Teilbestand: 1515

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

Teilbestand: 1144

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

Teilbestand: 320

Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

Teilbestand: 1402

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT300A120G

Teilbestand: 588

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1380W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

Teilbestand: 1369

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

Teilbestand: 762

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 560A, Leistung max: 1785W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Wunschzettel