Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N4449UB

2N4449UB

Teilbestand: 2992

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel
2N327A

2N327A

Teilbestand: 37

Wunschzettel
2N5001

2N5001

Teilbestand: 88

Wunschzettel
2N2222AE4

2N2222AE4

Teilbestand: 85

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2N2222AL

2N2222AL

Teilbestand: 8348

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2N2219AE4

2N2219AE4

Teilbestand: 120

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2N4905

2N4905

Teilbestand: 81

Wunschzettel
2N5686

2N5686

Teilbestand: 77

Wunschzettel
2N2904AL

2N2904AL

Teilbestand: 4988

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2N5002

2N5002

Teilbestand: 147

Wunschzettel
2N3498L

2N3498L

Teilbestand: 142

Wunschzettel
2N3419

2N3419

Teilbestand: 151

Wunschzettel
2N5581

2N5581

Teilbestand: 8040

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2N6436

2N6436

Teilbestand: 143

Wunschzettel
2N5430

2N5430

Teilbestand: 81

Wunschzettel
2N2907AL

2N2907AL

Teilbestand: 14535

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2N2369AU

2N2369AU

Teilbestand: 1550

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel
2N6340

2N6340

Teilbestand: 133

Wunschzettel
2N4914

2N4914

Teilbestand: 130

Wunschzettel
2N3019S

2N3019S

Teilbestand: 4367

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
2N6438

2N6438

Teilbestand: 98

Wunschzettel
2N5154L

2N5154L

Teilbestand: 164

Wunschzettel
2N6051

2N6051

Teilbestand: 84

Wunschzettel
2N6317

2N6317

Teilbestand: 2512

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.75A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2.5A, 4V,

Wunschzettel
2N1481

2N1481

Teilbestand: 122

Wunschzettel
2N6249

2N6249

Teilbestand: 124

Wunschzettel
2N3867S

2N3867S

Teilbestand: 105

Wunschzettel
2N6297

2N6297

Teilbestand: 173

Wunschzettel
2N5671

2N5671

Teilbestand: 176

Wunschzettel
2N4261

2N4261

Teilbestand: 3607

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel
2N3637L

2N3637L

Teilbestand: 5563

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Wunschzettel
2N3724

2N3724

Teilbestand: 83

Wunschzettel
2N6280

2N6280

Teilbestand: 81

Wunschzettel
2N4931

2N4931

Teilbestand: 151

Wunschzettel
2N3507

2N3507

Teilbestand: 160

Wunschzettel
2N657

2N657

Teilbestand: 125

Wunschzettel