Transistoren - JFETs

BF246B_J35Z

Teilbestand: 3444

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR58LT1G

Teilbestand: 3366

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 1µA,

BFR31LT1G

Teilbestand: 3431

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31LT1

Teilbestand: 3382

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR30LT1

Teilbestand: 3407

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30LT1G

Teilbestand: 3448

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BF247A

Teilbestand: 224

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A

Teilbestand: 3378

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA,

BSR56

Teilbestand: 141206

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BSR58

Teilbestand: 100259

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

J110

Teilbestand: 3443

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF256-3-TL-H

Teilbestand: 3442

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

J176

Teilbestand: 3350

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

P1086

Teilbestand: 3437

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA,

TIS75_D75Z

Teilbestand: 3417

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA,

MMBF4393LT1G

Teilbestand: 192269

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4092_D27Z

Teilbestand: 3371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

J112RL1

Teilbestand: 3450

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

J174_D75Z

Teilbestand: 3371

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

MMBF5462

Teilbestand: 130781

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA,

PN4391_D75Z

Teilbestand: 3487

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

EC3A04B-3-TL-H

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

PF5102

Teilbestand: 128618

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 700mV @ 1nA,

SMMBFJ175LT1G

Teilbestand: 109822

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

TIS75_J35Z

Teilbestand: 3466

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA,

PN4392_D75Z

Teilbestand: 3431

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

TF202THC-L5-TL-H

Teilbestand: 3450

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

J106

Teilbestand: 85192

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA,

TF202THC-3-TL-HX

Teilbestand: 3407

J111RLRAG

Teilbestand: 3387

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

PF5103

Teilbestand: 3363

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA,

MCH3914-8-TL-H

Teilbestand: 186655

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10µA,

MMBFU310LT1

Teilbestand: 3484

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA,

MMBFJ177

Teilbestand: 174507

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF5460

Teilbestand: 135969

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

TIS75

Teilbestand: 3355

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA,