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RFQs / Order.
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Transistoren - JFETs

J176-D74Z
ON Semiconductor

J176-D74Z

Teilbestand: 13203

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

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J176_D27Z
ON Semiconductor

J176_D27Z

Teilbestand: 3352

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

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TF256TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-4-TL-H

Teilbestand: 3468

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

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J111RL1G
ON Semiconductor

J111RL1G

Teilbestand: 3416

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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P1087_J18Z
ON Semiconductor

P1087_J18Z

Teilbestand: 3448

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA,

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FJN598JATA
ON Semiconductor

FJN598JATA

Teilbestand: 3490

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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J202
ON Semiconductor

J202

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

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J201_D74Z
ON Semiconductor

J201_D74Z

Teilbestand: 3407

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor

MMBFJ175LT1G

Teilbestand: 135212

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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MMBFJ175LT1
ON Semiconductor

MMBFJ175LT1

Teilbestand: 3381

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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MMBF4117
ON Semiconductor

MMBF4117

Teilbestand: 122052

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

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SMMBF4391LT1G
ON Semiconductor

SMMBF4391LT1G

Teilbestand: 3375

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA,

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TF252TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-5-TL-H

Teilbestand: 3414

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

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MMBF5484LT1
ON Semiconductor

MMBF5484LT1

Teilbestand: 3379

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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FJZ594JCTF
ON Semiconductor

FJZ594JCTF

Teilbestand: 3391

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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PN4303_D26Z
ON Semiconductor

PN4303_D26Z

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

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MMBFJ270
ON Semiconductor

MMBFJ270

Teilbestand: 114705

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

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KSK30RBU
ON Semiconductor

KSK30RBU

Teilbestand: 3409

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

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MMBF4091
ON Semiconductor

MMBF4091

Teilbestand: 111162

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA,

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MPF4392
ON Semiconductor

MPF4392

Teilbestand: 3400

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

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J113_D27Z
ON Semiconductor

J113_D27Z

Teilbestand: 3355

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

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TF262TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-5-TL-H

Teilbestand: 3528

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

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J202_D26Z
ON Semiconductor

J202_D26Z

Teilbestand: 3486

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

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CPH3910-TL-E
ON Semiconductor

CPH3910-TL-E

Teilbestand: 143306

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 100µA,

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FJX597JCTF
ON Semiconductor

FJX597JCTF

Teilbestand: 3407

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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TIS74
ON Semiconductor

TIS74

Teilbestand: 3394

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 4nA,

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J111-D26Z
ON Semiconductor

J111-D26Z

Teilbestand: 13212

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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J109_D75Z
ON Semiconductor

J109_D75Z

Teilbestand: 3377

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

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P108718
ON Semiconductor

P108718

Teilbestand: 3505

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA,

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MMBFJ112
ON Semiconductor

MMBFJ112

Teilbestand: 141208

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

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MCH5908H-TL-E
ON Semiconductor

MCH5908H-TL-E

Teilbestand: 126236

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA,

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J174_D74Z
ON Semiconductor

J174_D74Z

Teilbestand: 3375

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

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MMBFJ201_G
ON Semiconductor

MMBFJ201_G

Teilbestand: 3473

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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J106_D26Z
ON Semiconductor

J106_D26Z

Teilbestand: 3415

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA,

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MMBFJ108
ON Semiconductor

MMBFJ108

Teilbestand: 124175

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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PN5434
ON Semiconductor

PN5434

Teilbestand: 3380

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 3nA,

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