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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - JFETs

MMBF4393LT3G
ON Semiconductor

MMBF4393LT3G

Teilbestand: 107197

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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J108_D74Z
ON Semiconductor

J108_D74Z

Teilbestand: 3438

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

Wunschzettel
J105_D74Z
ON Semiconductor

J105_D74Z

Teilbestand: 5423

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA,

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KSK596CBU
ON Semiconductor

KSK596CBU

Teilbestand: 3378

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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PN4117_D26Z
ON Semiconductor

PN4117_D26Z

Teilbestand: 3452

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

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MMBF5484LT1G
ON Semiconductor

MMBF5484LT1G

Teilbestand: 3371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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J110RLRAG
ON Semiconductor

J110RLRAG

Teilbestand: 3370

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

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J177
ON Semiconductor

J177

Teilbestand: 3368

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

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J110_D75Z
ON Semiconductor

J110_D75Z

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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PN4302
ON Semiconductor

PN4302

Teilbestand: 3352

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

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J112
ON Semiconductor

J112

Teilbestand: 143677

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel
J108_D27Z
ON Semiconductor

J108_D27Z

Teilbestand: 3357

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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PN4119
ON Semiconductor

PN4119

Teilbestand: 3372

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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PN4091
ON Semiconductor

PN4091

Teilbestand: 3358

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA,

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FJN598JBBU
ON Semiconductor

FJN598JBBU

Teilbestand: 3487

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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TF262TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-4-TL-H

Teilbestand: 3436

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

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PN4118
ON Semiconductor

PN4118

Teilbestand: 3353

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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PN4117A_J61Z
ON Semiconductor

PN4117A_J61Z

Teilbestand: 3442

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

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MMBFJ177LT1
ON Semiconductor

MMBFJ177LT1

Teilbestand: 3506

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

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TF202THC-3-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-3-TL-H

Teilbestand: 3405

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

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MMBFJ175
ON Semiconductor

MMBFJ175

Teilbestand: 118669

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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MMBF4393
ON Semiconductor

MMBF4393

Teilbestand: 133700

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

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TF414T5G
ON Semiconductor

TF414T5G

Teilbestand: 139739

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA,

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PN4393_D26Z
ON Semiconductor

PN4393_D26Z

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

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MMBF5103
ON Semiconductor

MMBF5103

Teilbestand: 120554

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA,

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MMBFU310LT1G
ON Semiconductor

MMBFU310LT1G

Teilbestand: 155085

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA,

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PN5432
ON Semiconductor

PN5432

Teilbestand: 3377

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

Wunschzettel
J175
ON Semiconductor

J175

Teilbestand: 3377

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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MMBF4092
ON Semiconductor

MMBF4092

Teilbestand: 199131

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

Wunschzettel
J105
ON Semiconductor

J105

Teilbestand: 96371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA,

Wunschzettel
FJN598JCBU
ON Semiconductor

FJN598JCBU

Teilbestand: 3390

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

Wunschzettel
J174_D27Z
ON Semiconductor

J174_D27Z

Teilbestand: 3440

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

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EC3A03B-TL-H
ON Semiconductor

EC3A03B-TL-H

Teilbestand: 3447

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 20V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1µA,

Wunschzettel
KSK596PCWD
ON Semiconductor

KSK596PCWD

Teilbestand: 3392

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

Wunschzettel
MMBF5458
ON Semiconductor

MMBF5458

Teilbestand: 132490

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

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MMBF4119
ON Semiconductor

MMBF4119

Teilbestand: 167525

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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