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RFQs / Order.
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Transistoren - JFETs

MMBF4393LT1
ON Semiconductor

MMBF4393LT1

Teilbestand: 3356

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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NSVJ3557SA3T1G
ON Semiconductor

NSVJ3557SA3T1G

Teilbestand: 121574

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 15V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA,

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TF256TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-5-TL-H

Teilbestand: 3408

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

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J201
ON Semiconductor

J201

Teilbestand: 3365

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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J271
ON Semiconductor

J271

Teilbestand: 3411

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1nA,

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P1086_D74Z
ON Semiconductor

P1086_D74Z

Teilbestand: 3350

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA,

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PN5432_D27Z
ON Semiconductor

PN5432_D27Z

Teilbestand: 3415

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

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J175_D74Z
ON Semiconductor

J175_D74Z

Teilbestand: 3350

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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J270
ON Semiconductor

J270

Teilbestand: 3388

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

Wunschzettel
PN4117A_D26Z
ON Semiconductor

PN4117A_D26Z

Teilbestand: 3388

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

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J111-D74Z
ON Semiconductor

J111-D74Z

Teilbestand: 313

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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NSVJ2394SA3T1G
ON Semiconductor

NSVJ2394SA3T1G

Teilbestand: 148349

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 15V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 700mV @ 100µA,

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MPF4392G
ON Semiconductor

MPF4392G

Teilbestand: 3440

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

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J112-D74Z
ON Semiconductor

J112-D74Z

Teilbestand: 308

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

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MMBF4391
ON Semiconductor

MMBF4391

Teilbestand: 133772

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

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TF412ST5G
ON Semiconductor

TF412ST5G

Teilbestand: 184962

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

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J202_D27Z
ON Semiconductor

J202_D27Z

Teilbestand: 3368

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

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JFTJ105
ON Semiconductor

JFTJ105

Teilbestand: 3431

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA,

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TF252TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-4-TL-H

Teilbestand: 3451

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

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FJX597JBTF
ON Semiconductor

FJX597JBTF

Teilbestand: 3389

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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J112RLRA
ON Semiconductor

J112RLRA

Teilbestand: 3445

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

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J202_D74Z
ON Semiconductor

J202_D74Z

Teilbestand: 3477

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

Wunschzettel
TF252-4-TL-H
ON Semiconductor

TF252-4-TL-H

Teilbestand: 3458

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

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MPF4393
ON Semiconductor

MPF4393

Teilbestand: 3385

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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J111_D75Z
ON Semiconductor

J111_D75Z

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

Wunschzettel
J112G
ON Semiconductor

J112G

Teilbestand: 3431

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel
J201_D27Z
ON Semiconductor

J201_D27Z

Teilbestand: 3432

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

Wunschzettel
J110G
ON Semiconductor

J110G

Teilbestand: 3521

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

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MPF4393RLRPG
ON Semiconductor

MPF4393RLRPG

Teilbestand: 3449

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel
PN4391
ON Semiconductor

PN4391

Teilbestand: 3393

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

Wunschzettel
P1086_D75Z
ON Semiconductor

P1086_D75Z

Teilbestand: 3402

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA,

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J109
ON Semiconductor

J109

Teilbestand: 155883

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

Wunschzettel
J110_D26Z
ON Semiconductor

J110_D26Z

Teilbestand: 3458

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel
J111_D27Z
ON Semiconductor

J111_D27Z

Teilbestand: 3418

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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TF202THC-4-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-4-TL-H

Teilbestand: 3377

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

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SMMBF4393LT1G
ON Semiconductor

SMMBF4393LT1G

Teilbestand: 107687

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

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