Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

STMicroelectronics

BD140

Teilbestand: 114422

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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STMicroelectronics

BUY69A

Teilbestand: 6654

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2.5A, 10V,

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STMicroelectronics

BUX48A

Teilbestand: 5907

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA,

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STMicroelectronics

BUX98A

Teilbestand: 5852

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 24A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA,

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STMicroelectronics

BUX48

Teilbestand: 6586

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA,

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STMicroelectronics

BUX348

Teilbestand: 5908

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 6A, 30A,

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STMicroelectronics

BUX10

Teilbestand: 5909

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 2A, 20A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.5mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 2V,

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STMicroelectronics

BUW48

Teilbestand: 5850

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 4A, 40A,

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STMicroelectronics

BUV98AV

Teilbestand: 5924

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 24A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 24A, 5V,

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STMicroelectronics

BUV298V

Teilbestand: 5854

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 32A, 5V,

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STMicroelectronics

BUV298AV

Teilbestand: 6597

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 32A, 5V,

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STMicroelectronics

BUV26

Teilbestand: 5896

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 90V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A,

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STMicroelectronics

BUV27

Teilbestand: 5922

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 8A,

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STMicroelectronics

BUV20

Teilbestand: 5907

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5A, 50A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 25A, 2V,

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STMicroelectronics

BUT90

Teilbestand: 5922

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A,

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STMicroelectronics

BUL903ED

Teilbestand: 5922

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 3V,

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STMicroelectronics

BULT118

Teilbestand: 5882

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

BUL810

Teilbestand: 5898

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

BUL804

Teilbestand: 5942

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

BUL213

Teilbestand: 5924

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 3V,

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STMicroelectronics

BUL310

Teilbestand: 5933

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 2.5V,

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STMicroelectronics

BUL1403ED

Teilbestand: 6601

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 400mA, 3V,

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STMicroelectronics

BUL138FP

Teilbestand: 5906

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

BUF410A

Teilbestand: 5858

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2A, 10A,

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STMicroelectronics

BUL128

Teilbestand: 5846

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

BU941P

Teilbestand: 5910

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

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STMicroelectronics

BU941ZP

Teilbestand: 5883

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

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STMicroelectronics

BU931

Teilbestand: 5913

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

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STMicroelectronics

BU810

Teilbestand: 5852

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 700mA, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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STMicroelectronics

BSS44

Teilbestand: 5857

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

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STMicroelectronics

BU508AFI

Teilbestand: 5858

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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STMicroelectronics

BF420-AP

Teilbestand: 5885

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

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STMicroelectronics

BD537

Teilbestand: 5852

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 2V,

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STMicroelectronics

BD536

Teilbestand: 63754

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

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STMicroelectronics

BD535

Teilbestand: 63756

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

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STMicroelectronics

BD534

Teilbestand: 5922

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

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