Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 15

BD241A

Teilbestand: 6592

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

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STMicroelectronics

BD238

Teilbestand: 5878

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

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STMicroelectronics

BD235

Teilbestand: 5926

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

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STMicroelectronics

BCY59VIII

Teilbestand: 5872

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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STMicroelectronics

BCY59X

Teilbestand: 5941

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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STMicroelectronics

BCY59IX

Teilbestand: 5878

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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STMicroelectronics

BC141-16

Teilbestand: 5904

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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STMicroelectronics

BC107B

Teilbestand: 5898

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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STMicroelectronics

BD438

Teilbestand: 116255

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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STMicroelectronics

BD680

Teilbestand: 81444

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

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STMicroelectronics

BUL705

Teilbestand: 74739

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

BUL58D

Teilbestand: 74759

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

BU941ZTFP

Teilbestand: 5588

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

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STMicroelectronics

BUL416

Teilbestand: 5471

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.33A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 700mA, 5V,

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STMicroelectronics

BC857B

Teilbestand: 5530

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

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STMicroelectronics

BC817-40

Teilbestand: 5490

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

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STMicroelectronics

BC847B

Teilbestand: 5514

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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STMicroelectronics

BUR51

Teilbestand: 6644

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5A, 50A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

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STMicroelectronics

BD243C

Teilbestand: 63217

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

BDW83C

Teilbestand: 5552

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V,

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STMicroelectronics

BU508A

Teilbestand: 5556

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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STMicroelectronics

BUX98APW

Teilbestand: 5459

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 24A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.2A, 16A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA,

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STMicroelectronics

BFX34

Teilbestand: 5398

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

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STMicroelectronics

BU208A

Teilbestand: 5372

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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STMicroelectronics

BD682

Teilbestand: 99030

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

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STMicroelectronics

BD139-16

Teilbestand: 174413

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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STMicroelectronics

BD139

Teilbestand: 128471

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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STMicroelectronics

BULD741T4

Teilbestand: 189424

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 450mA, 3V,

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STMicroelectronics

BD140-16

Teilbestand: 178699

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2V, 150MA,

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STMicroelectronics

BUT100

Teilbestand: 6566

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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STMicroelectronics

BDX53BFP

Teilbestand: 5215

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

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STMicroelectronics

BUL128-K

Teilbestand: 5274

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

BUT70W

Teilbestand: 9213

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 32A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A,

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STMicroelectronics

BU808DFI

Teilbestand: 5159

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

BUF420M

Teilbestand: 5192

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4A, 20A,

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STMicroelectronics

BU941

Teilbestand: 5179

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

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