Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

STMicroelectronics

TIP125

Teilbestand: 172578

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

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STMicroelectronics

ST8812FX

Teilbestand: 42391

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP36CW

Teilbestand: 28454

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V,

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STMicroelectronics

ST13007

Teilbestand: 51305

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

MJD122-1

Teilbestand: 77145

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

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STMicroelectronics

TIP42A

Teilbestand: 129207

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

STN0214

Teilbestand: 175479

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V,

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STMicroelectronics

MD2310FX

Teilbestand: 28214

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 14A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.75A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 7A, 5V,

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STMicroelectronics

ST13003N

Teilbestand: 23867

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 10V,

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STMicroelectronics

MD1803DFP

Teilbestand: 70487

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

STT13005D-K

Teilbestand: 88278

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

STN790A

Teilbestand: 159479

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

MD2103DFP

Teilbestand: 40956

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP35CW

Teilbestand: 46365

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V,

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STMicroelectronics

TIP42C

Teilbestand: 112670

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

STN851-A

Teilbestand: 124490

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V,

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STMicroelectronics

STT13005D

Teilbestand: 135098

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

STX13003G-AP

Teilbestand: 184015

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

STX93003-AP

Teilbestand: 6830

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V,

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STMicroelectronics

TRD136DT4

Teilbestand: 6694

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

STF826

Teilbestand: 6674

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

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STMicroelectronics

ST901T

Teilbestand: 67259

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1800 @ 2A, 2V,

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STMicroelectronics

D45H11

Teilbestand: 61105

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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STMicroelectronics

HD1750JL

Teilbestand: 6732

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 24A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 12A, 5V,

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STMicroelectronics

STL128DFP

Teilbestand: 66007

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 700mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

STX13004G-AP

Teilbestand: 6643

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

STX616

Teilbestand: 6603

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

TRD236DT4

Teilbestand: 6629

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 600mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2.5A, 5V,

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STMicroelectronics

STBV45-AP

Teilbestand: 142885

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 750mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

STWH13009

Teilbestand: 6563

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

STBV45G

Teilbestand: 6636

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 750mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

TIP36CP

Teilbestand: 6574

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V,

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STMicroelectronics

MJE2955T

Teilbestand: 91603

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

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STMicroelectronics

STP03D200

Teilbestand: 11468

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 10V,

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STMicroelectronics

STB13005-1

Teilbestand: 67213

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

MD2009DFX

Teilbestand: 6561

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V,

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