Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

STMicroelectronics

BU941ZT

Teilbestand: 19551

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

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STMicroelectronics

BUV48A

Teilbestand: 28798

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 8A, 5V,

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STMicroelectronics

BCP56-16

Teilbestand: 147706

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

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STMicroelectronics

BUL742C

Teilbestand: 47948

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V,

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STMicroelectronics

BULD128DT4

Teilbestand: 118692

Transistortyp: NPN,

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STMicroelectronics

BUL59

Teilbestand: 139237

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

BULD742CT4

Teilbestand: 198777

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V,

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STMicroelectronics

BD437

Teilbestand: 154029

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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STMicroelectronics

BUL128D-B

Teilbestand: 122107

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

STE50DE100

Teilbestand: 2750

Transistortyp: NPN - Emitter Switched Bipolar, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1000V,

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STMicroelectronics

ST1510FX

Teilbestand: 28188

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 750V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.5A, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6.5 @ 6A, 5V,

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STMicroelectronics

MJB44H11T4-A

Teilbestand: 178906

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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STMicroelectronics

STX83003

Teilbestand: 118170

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V,

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STMicroelectronics

STX13005-APH

Teilbestand: 154979

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP122

Teilbestand: 114438

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

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STMicroelectronics

STR1550

Teilbestand: 174376

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 6mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

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STMicroelectronics

TIP35CP

Teilbestand: 26475

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V,

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STMicroelectronics

ST13007DFP

Teilbestand: 197771

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP3055

Teilbestand: 380

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

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STMicroelectronics

TIP29C

Teilbestand: 132049

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

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STMicroelectronics

TIP31C

Teilbestand: 138219

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

ST13009

Teilbestand: 45778

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 8A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP36C

Teilbestand: 37962

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V,

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STMicroelectronics

STN951

Teilbestand: 164890

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V,

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STMicroelectronics

TR136

Teilbestand: 118615

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

STU13005N

Teilbestand: 124166

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP35C

Teilbestand: 2217

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V,

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STMicroelectronics

STBV42-AP

Teilbestand: 130398

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

TIP41C

Teilbestand: 112697

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

ST13007D

Teilbestand: 90426

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP142T

Teilbestand: 47303

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

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STMicroelectronics

STSA1805-AP

Teilbestand: 158177

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

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STMicroelectronics

TIP29A

Teilbestand: 101720

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

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STMicroelectronics

ST13005

Teilbestand: 164463

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP142

Teilbestand: 40487

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

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STMicroelectronics

TIP2955

Teilbestand: 4398

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

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