Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 15

STX13004-AP

Teilbestand: 6620

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

STX690A

Teilbestand: 6555

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

TIP147

Teilbestand: 9541

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

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STMicroelectronics

STBV42D

Teilbestand: 6638

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

STX1F10

Teilbestand: 6579

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

STX0560

Teilbestand: 6648

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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STMicroelectronics

STX790A

Teilbestand: 6639

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

STD826T4

Teilbestand: 6710

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

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STMicroelectronics

TIP132

Teilbestand: 57260

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

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STMicroelectronics

STX13005G-AP

Teilbestand: 6587

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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HD1760JL

Teilbestand: 6590

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 36A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 4.5A, 18A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 18A, 5V,

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TR236

Teilbestand: 6568

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 600mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2.5A, 5V,

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STMicroelectronics

STX13005G

Teilbestand: 6615

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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S2000AF

Teilbestand: 6573

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 4.5A, 5V,

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STMicroelectronics

STX112-AP

Teilbestand: 6679

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

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STMicroelectronics

STT13005FP

Teilbestand: 76351

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

STL106D

Teilbestand: 6569

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

STX13004

Teilbestand: 6565

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

STW3040

Teilbestand: 6557

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 4A, 20A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 6A, 5V,

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STMicroelectronics

STX13004G

Teilbestand: 6582

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

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STMicroelectronics

ST13003DN

Teilbestand: 6667

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

MJE340

Teilbestand: 111045

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

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D44H11FP

Teilbestand: 6615

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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STMicroelectronics

MD1803DFX

Teilbestand: 6596

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

ST5027

Teilbestand: 6624

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V,

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STMicroelectronics

STL128DNFP

Teilbestand: 6706

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

HD1520FX

Teilbestand: 6586

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.8A, 9A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 9A, 5V,

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STMicroelectronics

D44H11

Teilbestand: 51373

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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STMicroelectronics

STT13005-K

Teilbestand: 5748

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

HD1530FX

Teilbestand: 6651

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 26A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 3.25A, 13A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 13A, 5V,

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STMicroelectronics

STH13009

Teilbestand: 6574

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

STX13003G

Teilbestand: 6583

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

ST13003D-K

Teilbestand: 98997

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

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STMicroelectronics

STD790AT4

Teilbestand: 6619

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

MD2009DFP

Teilbestand: 6661

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V,

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STMicroelectronics

MJB44H11T4

Teilbestand: 6624

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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