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Dioden - Zener - Single

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TSZU52C6V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C6V2 RGG

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
TSZU52C30 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C30 RGG

Teilbestand: 157

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
TSZU52C4V3 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C4V3 RGG

Teilbestand: 162

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
TSZU52C6V8 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C6V8 RGG

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
TSZU52C5V6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C5V6 RGG

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C8V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C8V2 RGG

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C10 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C10 RGG

Teilbestand: 145

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C2V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V2 RGG

Teilbestand: 188

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C20 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C20 RGG

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C11 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C11 RGG

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C33 RGG

Teilbestand: 160

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C2V0 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V0 RGG

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C2V4 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V4 RGG

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C24 RGG

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C3V6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C3V6 RGG

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 15µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C36 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C36 RGG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C7V5 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C7V5 RGG

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZU52C39 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C39 RGG

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 29V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5234B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5234B RHG

Teilbestand: 240

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 4V,

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MTZJ11SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SC R0G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 8V,

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ZM4749A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4749A L0G

Teilbestand: 166

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 18.2V,

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TSZL52C30 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C30 RWG

Teilbestand: 155

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ3V3SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V3SB R0G

Teilbestand: 249

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V,

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ZM4733A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4733A L0G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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UDZS3V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS3V6B RRG

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V,

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MTZJ5V1SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V1SA R0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.94V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1.5V,

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MTZJ2V2SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V2SB R0G

Teilbestand: 240

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.32V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 120µA @ 700mV,

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MTZJ15SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SC R0G

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 14.72V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 11V,

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MMSZ5262B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5262B RHG

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 39V,

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MTZJ39SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SB R0G

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36.28V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

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TSZL52C2V4 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C2V4 RWG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5225B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5225B RHG

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 29 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V,

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MTZJ3V0SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V0SA R0G

Teilbestand: 235

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.96V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V,

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MTZJ9V1SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ9V1SB R0G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.79V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V,

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MTZJ39SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SD R0G

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 37.58V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

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MTZJ11SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SB R0G

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10.78V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 8V,

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