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Dioden - Zener - Single

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MTZJ22SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SD R0G

Teilbestand: 155

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.08V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 17V,

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ZM4731A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4731A L0G

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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MTZJ2V7SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V7SB R0G

Teilbestand: 166

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V,

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MMSZ5251B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5251B RHG

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 29 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 17V,

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TSZL52C36 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C36 RWG

Teilbestand: 223

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ2V4SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V4SA R0G

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 120µA @ 1V,

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MTZJ3V9SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V9SA R0G

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.88V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

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TSZL52C16 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C16 RWG

Teilbestand: 149

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5257B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5257B RHG

Teilbestand: 261

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 58 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25V,

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ZM4737A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4737A L0G

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V,

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TSZL52C3V3 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C3V3 RWG

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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UDZS7V5B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS7V5B RRG

Teilbestand: 222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 4V,

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UDZS27B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS27B RRG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 21V,

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TSZL52C39 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C39 RWG

Teilbestand: 143

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 29V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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UDZS5V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS5V6B RRG

Teilbestand: 176

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 3V,

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TSZL52C6V2 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C6V2 RWG

Teilbestand: 142

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZL52C2V7 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C2V7 RWG

Teilbestand: 186

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 83 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 75µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ22SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SA R0G

Teilbestand: 222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20.68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 17V,

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MTZJ33SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ33SB R0G

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 31.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 65 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 25V,

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MTZJ27SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SA R0G

Teilbestand: 166

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24.89V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 21V,

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MTZJ6V2SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V2SB R0G

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3V,

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MTZJ36SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ36SA R0G

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 32.97V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 27V,

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MTZJ13SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ13SA R0G

Teilbestand: 240

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12.43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 10V,

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MMSZ5236B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5236B RHG

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 6 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6V,

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MTZJ30SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ30SD R0G

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 29.77V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 23V,

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MTZJ20SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ20SB R0G

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 19.11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 15V,

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UDZS13B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS13B RRG

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 10V,

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MTZJ4V3SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V3SA R0G

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.17V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

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ZM4755A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4755A L0G

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 32.7V,

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MTZJ10SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ10SC R0G

Teilbestand: 212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.95V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V,

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ZM4754A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4754A L0G

Teilbestand: 236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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TSZL52C18 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C18 RWG

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ51S R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ51S R0G

Teilbestand: 231

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 39V,

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MTZJ4V7SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V7SB R0G

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

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ZM4743A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4743A L0G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 9.9V,

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ZM4753A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4753A L0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 27.4V,

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