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Dioden - Zener - Single

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MTZJ5V1SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V1SB R0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.07V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1.5V,

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MTZJ2V2SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V2SA R0G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.21V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 120µA @ 700mV,

Wunschzettel
MTZJ7V5SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ7V5SB R0G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.26V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 4V,

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MMSZ5227B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5227B RHG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 24 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 15µA @ 1V,

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MMSZ5237B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5237B RHG

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6.5V,

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ZM4729A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4729A L0G

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V,

Wunschzettel
TSZL52C33 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C33 RWG

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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TSZL52C20 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C20 RWG

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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ZM4758A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4758A L0G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 42.6V,

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MTZJ7V5SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ7V5SC R0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.48V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 4V,

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ZM4742A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4742A L0G

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 9.1V,

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MTZJ36SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ36SB R0G

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33.64V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 27V,

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MTZJ3V6SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V6SA R0G

Teilbestand: 219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.58V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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MMSZ5259B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5259B RHG

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 30V,

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MMSZ5256B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5256B RHG

Teilbestand: 257

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 49 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V,

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MTZJ2V7SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V7SA R0G

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.65V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V,

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MTZJ15SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SA R0G

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13.79V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 11V,

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TSZL52C24 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C24 RWG

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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UDZS3V9B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS3V9B RRG

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V,

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TSZL52C3V6 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C3V6 RWG

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 15µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ10SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ10SA R0G

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V,

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ZM4738A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4738A L0G

Teilbestand: 219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 6V,

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TSZL52C5V6 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C5V6 RWG

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ6V8SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V8SB R0G

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.66V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 3.5V,

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ZM4732A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4732A L0G

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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UDZS36B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS36B RRG

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 27V,

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TSZL52C4V3 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C4V3 RWG

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MTZJ13SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ13SB R0G

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12.88V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 10V,

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UDZS22B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS22B RRG

Teilbestand: 255

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 17V,

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ZM4735A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4735A L0G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V,

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MTZJ8V2SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ8V2SA R0G

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.73V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 5V,

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MTZJ27SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SC R0G

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 26.29V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 21V,

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MTZJ2V0SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V0SB R0G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 120µA @ 500mV,

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MTZJ39SE R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SE R0G

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 38.33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

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MTZJ27SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SD R0G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 26.97V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 21V,

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MMSZ5226B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5226B RHG

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 28 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25µA @ 1V,

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