Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Zener - Single

  • Zuhause
  •  
  • Dioden - Zener - Single
UDZS6V2B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS6V2B RRG

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 3V,

Wunschzettel
MTZJ16SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ16SC R0G

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 12V,

Wunschzettel
ZM4740A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4740A L0G

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 7.6V,

Wunschzettel
MMSZ5258B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5258B RHG

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V,

Wunschzettel
MTZJ10SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ10SB R0G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.66V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V,

Wunschzettel
MTZJ9V1SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ9V1SA R0G

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V,

Wunschzettel
MTZJ24SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ24SB R0G

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 23.19V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 19V,

Wunschzettel
MTZJ7V5SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ7V5SA R0G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.04V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 4V,

Wunschzettel
UDZS30B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS30B RRG

Teilbestand: 232

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 23V,

Wunschzettel
UDZS4V7B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS4V7B RRG

Teilbestand: 258

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V,

Wunschzettel
ZM4744A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4744A L0G

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Wunschzettel
ZM4748A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4748A L0G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 23 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Wunschzettel
MTZJ22SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SB R0G

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 21.18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 17V,

Wunschzettel
MMSZ5235B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5235B RHG

Teilbestand: 236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 5V,

Wunschzettel
UDZS5V1B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS5V1B RRG

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 2V,

Wunschzettel
MMSZ5254B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5254B RHG

Teilbestand: 257

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 41 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V,

Wunschzettel
MMSZ5261B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5261B RHG

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 105 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 36V,

Wunschzettel
MTZJ12SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ12SA R0G

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11.42V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 9V,

Wunschzettel
ZM4756A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4756A L0G

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Wunschzettel
UDZS12B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS12B RRG

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 9V,

Wunschzettel
MTZJ3V0SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V0SB R0G

Teilbestand: 163

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V,

Wunschzettel
MTZJ5V6SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V6SC R0G

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.76V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2.5V,

Wunschzettel
ZM4734A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4734A L0G

Teilbestand: 238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 2V,

Wunschzettel
MTZJ39SF R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SF R0G

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39.13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

Wunschzettel
MTZJ4V3SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V3SC R0G

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.44V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

Wunschzettel
MTZJ27SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SB R0G

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 25.62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 21V,

Wunschzettel
MTZJ39SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SA R0G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 35.58V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

Wunschzettel
MTZJ16SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ16SA R0G

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15.19V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 12V,

Wunschzettel
MTZJ8V2SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ8V2SB R0G

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.99V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 5V,

Wunschzettel
MTZJ33SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ33SC R0G

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 31.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 65 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 25V,

Wunschzettel
MTZJ3V6SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V6SB R0G

Teilbestand: 176

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.72V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

Wunschzettel
MTZJ4V7SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V7SA R0G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

Wunschzettel
MTZJ18SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ18SC R0G

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 17.88V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 13V,

Wunschzettel
MTZJ36SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ36SD R0G

Teilbestand: 246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 34.89V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 27V,

Wunschzettel
MMSZ5250B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5250B RHG

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V,

Wunschzettel
TSZL52C3V0 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C3V0 RWG

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel