Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TPCA8010-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12L,Q

Teilbestand: 6033

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

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TPCA8009-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8009-H(TE12L,Q

Teilbestand: 9563

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TPCA8016-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8016-H(TE12LQM

Teilbestand: 9528

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 13A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J355R,LF

Teilbestand: 128788

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30.1 mOhm @ 4A, 4.5V,

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TPCA8007-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8007-H(TE12L,Q

Teilbestand: 9600

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 47 mOhm @ 10A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

Teilbestand: 193227

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.2 mOhm @ 4A, 8V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU,LF

Teilbestand: 126797

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J134TU,LF

Teilbestand: 16272

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH,LQ

Teilbestand: 195443

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 4.7A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8107,LF

Teilbestand: 69123

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J501NU,LF

Teilbestand: 176891

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3H137TU,LF

Teilbestand: 16238

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 34V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

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TPCA8008-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

Teilbestand: 9581

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CFS,LF

Teilbestand: 138628

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

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SSM3J129TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J129TU(TE85L)

Teilbestand: 6003

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

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TPCC8005-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8005-H(TE12LQM

Teilbestand: 9435

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K17SU,LF

Teilbestand: 5947

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

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TPCA8025(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8025(TE12L,Q,M

Teilbestand: 9392

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

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TPCA8021-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8021-H(TE12LQM

Teilbestand: 9362

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

Teilbestand: 9242

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

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SSM3J108TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J108TU(TE85L)

Teilbestand: 9444

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 158 mOhm @ 800mA, 4V,

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TPCC8002-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8002-H(TE12L,Q

Teilbestand: 8783

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R304PL,L1Q

Teilbestand: 119339

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 40A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56FS,LF

Teilbestand: 100620

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TK31A60W,S4VX

Teilbestand: 10937

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R303NL,L1Q

Teilbestand: 185384

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

Teilbestand: 60875

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15F,LF

Teilbestand: 25861

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K44FS,LF

Teilbestand: 25853

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TK31J60W5,S1VQ

Teilbestand: 9256

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6400ENH,L1Q

Teilbestand: 101081

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

Teilbestand: 98527

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K59CTB,L3F

Teilbestand: 173472

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 215 mOhm @ 1A, 8V,

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SSM3J46CTB(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J46CTB(TPL3)

Teilbestand: 115248

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CTC,L3F

Teilbestand: 21536

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TK20N60W,S1VF

Teilbestand: 14097

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

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