Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Zuhause
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60X,S1F

Teilbestand: 10187

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W,S1VF

Teilbestand: 6462

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 19.4A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14E65W5,S1X

Teilbestand: 21833

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E06N1,S1X

Teilbestand: 26630

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK30A06N1,S4X

Teilbestand: 71133

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK32A12N1,S4X

Teilbestand: 47247

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.8 mOhm @ 16A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK380A60Y,S4X

Teilbestand: 47599

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60U(Q,M)

Teilbestand: 18965

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q65W,S1Q

Teilbestand: 42602

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 670 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E10N1,S1X

Teilbestand: 36803

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20N60W5,S1VF

Teilbestand: 18577

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK58A06N1,S4X

Teilbestand: 49488

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 58A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 29A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK62J60W,S1VQ

Teilbestand: 4562

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 61.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 30.9A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK65A10N1,S4X

Teilbestand: 23986

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 65A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK30E06N1,S1X

Teilbestand: 67207

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK25A60X,S5X

Teilbestand: 16567

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100L60W,VQ

Teilbestand: 2142

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E08N1,S1X

Teilbestand: 11910

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35A08N1,S4X

Teilbestand: 63170

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK10A80E,S4X

Teilbestand: 27566

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK72E08N1,S1X

Teilbestand: 27799

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 36A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A65W,S5X

Teilbestand: 32419

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 390 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E10N1,S1X

Teilbestand: 18392

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(Q,M)

Teilbestand: 382

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK34A10N1,S4X

Teilbestand: 42839

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 17A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A90E,S4X

Teilbestand: 30070

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14N65W,S1F

Teilbestand: 21636

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK25A60X5,S5X

Teilbestand: 14447

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A65W,S5X

Teilbestand: 23555

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wunschzettel

SSM3J118TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J118TU(TE85L)

Teilbestand: 345

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 650mA, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16E60W,S1VX

Teilbestand: 16991

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5Q60W,S1VQ

Teilbestand: 39454

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK28N65W,S1F

Teilbestand: 11755

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 13.8A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35MFV,L3F

Teilbestand: 158355

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E06N1,S1X

Teilbestand: 69827

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16N60W,S1VF

Teilbestand: 14130

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Wunschzettel

741

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»