Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

BAV70,LM

Teilbestand: 3367

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

Teilbestand: 3300

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

Teilbestand: 3315

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

Teilbestand: 151

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

Teilbestand: 111

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

Teilbestand: 99

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

Teilbestand: 125

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

Teilbestand: 196401

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

Teilbestand: 12490

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

Teilbestand: 146

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

Teilbestand: 10959

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

Teilbestand: 109

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

Teilbestand: 106201

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 140mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

Teilbestand: 105421

Diodenkonfiguration: 2 Pair CA + CC, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

Teilbestand: 159197

Diodenkonfiguration: 2 Pair CA + CC, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

Teilbestand: 171499

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

Teilbestand: 8001

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

Teilbestand: 7444

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

Teilbestand: 191091

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

Teilbestand: 124987

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

Teilbestand: 130979

Diodenkonfiguration: 2 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

Teilbestand: 4548

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

Teilbestand: 166431

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 80mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

Teilbestand: 170816

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

Teilbestand: 16260

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

Teilbestand: 191404

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

Teilbestand: 127689

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

Teilbestand: 4160

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

Teilbestand: 4087

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

Teilbestand: 3899

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

Teilbestand: 120020

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

Teilbestand: 167920

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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