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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 152609

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 98

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 124

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 114931

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

Teilbestand: 137653

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

Teilbestand: 153875

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

Teilbestand: 9987

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

Teilbestand: 115889

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Teilbestand: 4365

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Teilbestand: 167758

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Teilbestand: 115887

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

Teilbestand: 179411

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

Teilbestand: 4432

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

Teilbestand: 124168

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 104094

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

Teilbestand: 147055

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

Teilbestand: 104803

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

Teilbestand: 104

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

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HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

Teilbestand: 184759

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

Teilbestand: 4437

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

Teilbestand: 4500

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Teilbestand: 4488

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

Teilbestand: 184335

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

Teilbestand: 4476

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

Teilbestand: 4401

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Teilbestand: 6508

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

Teilbestand: 151500

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

Teilbestand: 4471

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Teilbestand: 9945

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Teilbestand: 111105

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

Teilbestand: 4492

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

Teilbestand: 4430

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

Teilbestand: 76

Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

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ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

Teilbestand: 4464

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

Teilbestand: 4503

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

Teilbestand: 9904

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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