Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

TPCF8402(TE85L,F,M

Teilbestand: 2735

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

Teilbestand: 24307

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.8V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4201(TE85L,F)

Teilbestand: 2892

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

Teilbestand: 2742

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L11TU(TE85L,F)

Teilbestand: 2856

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 250MA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4203(TE85L,F)

Teilbestand: 3305

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8221-H,LQ(S

Teilbestand: 2821

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

Teilbestand: 3306

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE,LM

Teilbestand: 140070

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,LF

Teilbestand: 3270

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N39TU,LF

Teilbestand: 2461

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 119 mOhm @ 1A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

Teilbestand: 102707

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002KFU,LF

Teilbestand: 124781

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N43FU,LF

Teilbestand: 176574

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L12TU,LF

Teilbestand: 2495

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

Teilbestand: 128587

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.1A, 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

Teilbestand: 161424

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

Teilbestand: 179879

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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SSM6N15AFE,LM

Teilbestand: 178067

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

Teilbestand: 175270

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

Teilbestand: 111011

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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SSM6L16FETE85LF

Teilbestand: 192590

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 0.1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

Teilbestand: 182932

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

Teilbestand: 151036

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 7.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

Teilbestand: 164511

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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TPC8223-H,LQ(S

Teilbestand: 150969

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

Teilbestand: 105414

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

Teilbestand: 179839

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

Teilbestand: 111677

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

Teilbestand: 156819

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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