Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

Teilbestand: 5232

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

Teilbestand: 6608

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

Teilbestand: 5272

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

Teilbestand: 5238

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

Teilbestand: 5233

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

Teilbestand: 5083

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

Teilbestand: 184025

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

Teilbestand: 129870

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

Teilbestand: 105477

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

Teilbestand: 145497

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SA1587-GR,LF

Teilbestand: 132736

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

Teilbestand: 156237

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

Teilbestand: 105262

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

Teilbestand: 114013

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

Teilbestand: 141692

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

Teilbestand: 150771

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

Teilbestand: 149461

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

Teilbestand: 100270

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

Teilbestand: 118674

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

Teilbestand: 171156

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

Teilbestand: 4810

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

Teilbestand: 104340

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

Teilbestand: 27295

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 18A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

Teilbestand: 27908

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 18A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

Teilbestand: 96245

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 375V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

Teilbestand: 124

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

Teilbestand: 192103

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

Teilbestand: 118518

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 285V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

Teilbestand: 174487

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

Teilbestand: 186338

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

Teilbestand: 25341

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

Teilbestand: 25369

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

Teilbestand: 146507

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

Teilbestand: 7058

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

Teilbestand: 7067

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

Teilbestand: 142061

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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