Transistoren - JFETs

PN4092_D27Z

Teilbestand: 3371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

Wunschzettel.

J112RL1

Teilbestand: 3450

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.

J174_D75Z

Teilbestand: 3371

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

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MMBF5462

Teilbestand: 130781

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA,

Wunschzettel.

PN4391_D75Z

Teilbestand: 3487

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

Wunschzettel.

EC3A04B-3-TL-H

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

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PF5102

Teilbestand: 128618

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 700mV @ 1nA,

Wunschzettel.

SMMBFJ175LT1G

Teilbestand: 109822

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA,

Wunschzettel.

TIS75_J35Z

Teilbestand: 3466

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA,

Wunschzettel.

PN4392_D75Z

Teilbestand: 3431

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

Wunschzettel.

TF202THC-L5-TL-H

Teilbestand: 3450

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA,

Wunschzettel.

J106

Teilbestand: 85192

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA,

Wunschzettel.

TF202THC-3-TL-HX

Teilbestand: 3407

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J111RLRAG

Teilbestand: 3387

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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PF5103

Teilbestand: 3363

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA,

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MCH3914-8-TL-H

Teilbestand: 186655

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10µA,

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MMBFU310LT1

Teilbestand: 3484

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA,

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MMBFJ177

Teilbestand: 174507

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

Wunschzettel.

MMBF5460

Teilbestand: 135969

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

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TIS75

Teilbestand: 3355

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA,

Wunschzettel.

MX2N4856

Teilbestand: 3463

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

Wunschzettel.

JANTX2N4857

Teilbestand: 3433

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

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JANTX2N4859

Teilbestand: 4492

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

Wunschzettel.

MX2N4856UB

Teilbestand: 3467

Wunschzettel.

MX2N4857

Teilbestand: 3479

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

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PMBFJ109,215

Teilbestand: 111148

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1µA,

Wunschzettel.

J110,126

Teilbestand: 3445

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA,

Wunschzettel.

PMBFJ113,215

Teilbestand: 3422

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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Central Semiconductor Corp

PMBFJ174,215

Teilbestand: 3362

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

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PN4393 TRA

Teilbestand: 119489

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

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Central Semiconductor Corp

CMPF4392 TR

Teilbestand: 156260

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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U430

Teilbestand: 3454

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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SST4119-T1-E3

Teilbestand: 3472

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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SST204-E3

Teilbestand: 3473

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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