Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

NVMFD5873NLT1G

Teilbestand: 73807

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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FDS9958-F085

Teilbestand: 26954

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDS8858CZ

Teilbestand: 153147

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.6A, 7.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ECH8660-TL-H

Teilbestand: 177854

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

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IRF7905TRPBF

Teilbestand: 187870

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A, 8.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.25V @ 25µA,

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IPG20N06S2L50AATMA1

Teilbestand: 140292

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 19µA,

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IRF9358TRPBF

Teilbestand: 160762

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 25µA,

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IPG16N10S461ATMA1

Teilbestand: 100256

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 9µA,

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IRFHM8363TRPBF

Teilbestand: 191314

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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IPG20N04S4L11AATMA1

Teilbestand: 165940

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 15µA,

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STMicroelectronics

STS1DNC45

Teilbestand: 85375

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.7V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS8DNF3LL

Teilbestand: 136676

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIA922EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 104410

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SI9926CDY-T1-E3

Teilbestand: 125202

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SQJ974EP-T1_GE3

Teilbestand: 141603

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI5504BDC-T1-GE3

Teilbestand: 163985

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI7288DP-T1-GE3

Teilbestand: 108168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

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SI7900AEDN-T1-E3

Teilbestand: 97121

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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SI4214DDY-T1-GE3

Teilbestand: 102448

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI5935CDC-T1-GE3

Teilbestand: 154777

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI5936DU-T1-GE3

Teilbestand: 193614

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SI1025X-T1-GE3

Teilbestand: 121434

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

Teilbestand: 169010

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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SH8M24TB1

Teilbestand: 112720

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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UM6J1NTN

Teilbestand: 145064

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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QS8J13TR

Teilbestand: 157844

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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SH8M11TB1

Teilbestand: 138257

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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EM6K34T2CR

Teilbestand: 122186

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 1mA,

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ZDM4306NTA

Teilbestand: 2658

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

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DMC1018UPD-13

Teilbestand: 180420

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ZXMD63P02XTA

Teilbestand: 110973

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

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