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RFQs / Order.
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Transistoren - IGBTs - Module

APTGF165SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165SK60D1G

Teilbestand: 463

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 230A, Leistung max: 730W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF180A60TG
Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

Teilbestand: 496

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Wunschzettel.
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

Teilbestand: 456

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 230A, Leistung max: 781W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF165DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

Teilbestand: 448

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 230A, Leistung max: 730W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

Teilbestand: 440

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Wunschzettel.
APTGF15A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

Teilbestand: 442

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Wunschzettel.
APTGF15H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

Teilbestand: 487

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Wunschzettel.
APTGF150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

Teilbestand: 414

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGF150DH120G
Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

Teilbestand: 410

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

Teilbestand: 435

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

Teilbestand: 453

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Teilbestand: 3069

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Teilbestand: 453

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Teilbestand: 411

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 735W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Teilbestand: 435

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Leistung max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Teilbestand: 455

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Leistung max: 378W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Wunschzettel.
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Teilbestand: 418

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Leistung max: 378W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Wunschzettel.
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Teilbestand: 3465

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Teilbestand: 3433

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Teilbestand: 448

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Teilbestand: 465

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 58A, Leistung max: 192W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Teilbestand: 416

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 58A, Leistung max: 192W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Teilbestand: 481

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

Teilbestand: 420

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 124A, Leistung max: 379W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Teilbestand: 401

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 124A, Leistung max: 379W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Teilbestand: 445

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Leistung max: 378W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Wunschzettel.
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

Teilbestand: 2419

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 329W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Teilbestand: 393

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 72A, Leistung max: 379W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Teilbestand: 2536

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 86A, Leistung max: 284W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Wunschzettel.
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 77A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Wunschzettel.
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Teilbestand: 406

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 283A, Leistung max: 682W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Teilbestand: 1653

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 128A, Leistung max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Teilbestand: 1360

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
A2P75S12M3-F
STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

Teilbestand: 373

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 454.5W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
A2P75S12M3
STMicroelectronics

A2P75S12M3

Teilbestand: 372

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 454.5W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
A2C50S65M2
STMicroelectronics

A2C50S65M2

Teilbestand: 320

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.