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Transistoren - IGBTs - Module

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

Teilbestand: 530

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

Teilbestand: 539

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

Teilbestand: 466

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

Teilbestand: 528

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

Teilbestand: 540

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

Teilbestand: 487

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 115W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

Wunschzettel.
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

Teilbestand: 546

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

Teilbestand: 5307

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

Teilbestand: 531

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

Teilbestand: 541

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

Teilbestand: 521

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

Teilbestand: 490

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

Teilbestand: 478

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

Teilbestand: 540

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 465W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

Teilbestand: 464

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

Teilbestand: 555

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Teilbestand: 545

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

Teilbestand: 548

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

Teilbestand: 526

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 357W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

Teilbestand: 526

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 760A, Leistung max: 1600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

Wunschzettel.
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

Teilbestand: 482

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

Teilbestand: 514

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

Teilbestand: 541

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

Teilbestand: 552

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

Teilbestand: 528

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

Teilbestand: 3071

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Teilbestand: 518

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

Teilbestand: 496

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

Teilbestand: 535

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

Teilbestand: 494

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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