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RFQs / Order.
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Transistoren - IGBTs - Module

APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

Teilbestand: 479

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 450A, Leistung max: 1560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

Wunschzettel.
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

Teilbestand: 449

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Wunschzettel.
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

Teilbestand: 437

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Wunschzettel.
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

Teilbestand: 508

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Wunschzettel.
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

Teilbestand: 424

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Wunschzettel.
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

Teilbestand: 514

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 460A, Leistung max: 1400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

Teilbestand: 444

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 520A, Leistung max: 1560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation

APTGF300U120DG

Teilbestand: 440

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30A60T1G

Teilbestand: 3064

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Leistung max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Wunschzettel.
APTGF300SK120G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120G

Teilbestand: 426

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120D3G

Teilbestand: 497

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF300DU120G
Microsemi Corporation

APTGF300DU120G

Teilbestand: 448

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120G

Teilbestand: 514

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF300A120G
Microsemi Corporation

APTGF300A120G

Teilbestand: 339

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120D3G

Teilbestand: 492

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300A120D3G

Teilbestand: 3070

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 2100W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25X120T3G

Teilbestand: 420

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGF25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T3G

Teilbestand: 481

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T1G

Teilbestand: 430

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGF25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25A120T1G

Teilbestand: 483

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGF25DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DDA120T3G

Teilbestand: 415

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
APTGF250DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250DA60D3G

Teilbestand: 450

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF250SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250SK60D3G

Teilbestand: 511

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF250A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250A60D3G

Teilbestand: 427

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF200U120DG
Microsemi Corporation

APTGF200U120DG

Teilbestand: 461

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 275A, Leistung max: 1136W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200SK120D3G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF200DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200DA120D3G

Teilbestand: 440

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF180SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF180SK60TG

Teilbestand: 434

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Wunschzettel.
APTGF200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200A120D3G

Teilbestand: 506

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Wunschzettel.
APTGF180H60G
Microsemi Corporation

APTGF180H60G

Teilbestand: 481

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Wunschzettel.
APTGF180DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DU60TG

Teilbestand: 433

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Wunschzettel.
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation

APTGF180DH60G

Teilbestand: 421

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Wunschzettel.
APTGF180DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DA60TG

Teilbestand: 482

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

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